Nanokristall va nanoklasterlar. Metall klasterlari - Химия - Презентации

Информация о документе

Цена	3000UZS
Размер	1.3MB
Покупки	0
Дата загрузки	28 Март 2023
Расширение	pptx
Раздел	Презентации
Предмет	Химия

Nanokristall va nanoklasterlar. Metall klasterlari

Купить

Nanokristall va nanoklasterlar. Metall klasterlari

Nanokristalli materiallar • Biz “atom” va “molekula” tushunchalari ostida modda quriladigan eng kichik qurilish “g’ishtchalarini” tushunamiz. Moddani faqat g’ishtchalardan emas, balki, butun bloklardan ham qurish mumkin ekan. Bloklar sifatida nanoklasterlar va nanozarrachalar bo’lishlari mumkin. • Nanoo’lchamli bloklardan tashkil topgan kristalli materiallarni hajmiy nanokristalli materiallar deb ataladi.

Nanokristalli materiallar • Naonokristall materiallar g’aroyib xossalarga ega bo’lishlari mumkin ekan. Biz bilamizki, agar material mustahkam bo’lsa, mo’rtlik xossasiga ega bo’ladi. Nihoyatda mustahkam, ammo mo’rt materialga shishani misol qilish mumkin. Bir qator nanokristall materiallar bir vaqtda yaxshi mustahkamlikka va plastiklikka ega ekanlar.

Nanokristalli materiallar • Nanokristall materiallarning tengsiz g’aroyib xossalari moddani tashkil qilgan nanozarrachalar bo’limlarining chegaralari mavjudligiga bog’liq. Bo’lim chegarasi o’zini hajmiy moddadan farq qiluvchi alohida xossali modda kabi tutadi.

Nanokristalli materiallar • Keyingi yillarda nanokristallarni olish texnoligiyasida sezilarli yutuqlarga erishildi. Kolloidli ximiyaning metodlaridan foydalanib nanokristall shakldagi ko’plab moddalar, shu jumladan metallar, yarimo’tkazgichlar va magnitli materiallar olishga muvaffaq bo’lindi. • Nanokristall materiallarga tarkibida nanometrik diapozondagi kristallga ega bo’lgan qotishmalarni ham kiritish mumkin.

Ipsimon nanokristall • Ipsimon nanokristall • ( Нитевидный нанокристалл ННК- mo’ylovli ), ko'pincha, nanowire (inglizcha nanosimlardan ) va nanorod deb ham ataladi. • Uzunligi boshqa nanokristallardan sezilarli darajada oshib ketadigan bir o'lchovli nanomaterialdir. o'lchamlari, o'z navbatida, bir necha o'nlab nanometrlardan oshmaydi.

Ipsimon nanokristall (nanosim)

Ipsimon nanokristallning turli xil turlari mavjud, ular orasida metall (masalan, Ni, Au va boshqalar) , yarim o'tkazgichlar (masalan, Si, InP, GaN va boshqalar), molekulyar (organik yoki noorganik kelib chiqishi molekulyar birlikmalaridan iborat) , va boshqalar.

Olinishi • Bir o'lchovli nanokristallarni olishning bir necha tubdan farq qiladigan mexanizmlari mavjud bo'lib, ularni erkin tuzilmalarni olish usullariga masalan: "bug’-suyuq-kristall" o'sish mexanizmi va “planar(tekis, sirt)” texnologiya usullaridan foydalaniladi.

"bug '-suyuq-kristall" o’sish mexanizmi • Yarimo'tkazgichli nanosimlar uchun eng keng tarqalgan o'sish mexanizmi bu 1964 yilda namoyish etilgan "bug '-suyuq-kristall" mexanizmi. Bu usulda nanosimlarning epitaksial o'sishi kimyoviy bug'larning cho'kishi yoki molekulyar nur epitaksisi orqali amalga oshiriladi.

Ipsimon nanokristall o’sishi • Buning uchun birinchi navbatda katalizator rolini o'ynaydigan substrat yuzasiga yupqa oltin plyonka yotqiziladi, shundan so'ng kamerada harorat ko'tariladi va oltin tomchilar qatorini hosil qiladi. Bundan tashqari, yarimo'tkazgich materialining o'sishi uchun komponentlar, masalan, InP nanosim o'sishi uchun In va P elementlari beriladi. Katalizator zarralari bilan faollashuvning ta'siri shundaki, tomchi ostidagi sirtda o'sish faollashtirilmagan sirtga qaraganda bir necha baravar tezroq sodir bo'ladi, shuning uchun katalizator tomchisi yuzadan yuqoriga ko'tarilib, ostida ipsimon nanokristall o'sadi.

"bug’-suyuq-kristall" o'sish mexanizmi

Planar texnologiya • Planar (tekis, sirt) texnologiya yarim o'tkazgichli qurilmalar va integral mikrosxemalar ishlab chiqarishda qo'llaniladigan texnologik operatsiyalar majmuasidir. Jarayon tranzistorlarning alohida komponentlarini shakllantirishni, shuningdek ularni yagona tuzilishga birlashtirishni o'z ichiga oladi. Bu zamonaviy integral mikrosxemalarni yaratishda asosiy jarayondir. Ushbu texnologiyani "Fairchild Semiconductor" kompaniyasida ishlayotgan "Tracherous Eight" guruhi a'zosi Jan Erni ishlab chiqqan. Texnologiya birinchi marta 1959 yilda patentlangan.

Ipsimon kristallardagi geterostrukturalar • Nanosimlar bitta materialdan o'stirilishi mumkin yoki bir-birining ustiga o'stirilgan turli xil materiallarning ikki yoki undan ortiq qatlamlaridan iborat bo'lishi mumkin (masalan, InAs / InP). Bunday holda, nanosimga asoslangan geterostruktura haqida gapiradi. nanosimlarga asoslangan geterostrukturalarni olish uchun epitaksial kristall o'sishi jarayonida ma'lum bir daqiqada bir moddaning elementlari bilan ta'minlanishi to'xtaydi va boshqa bir moddaning etkazib berilishi boshlanadi, shuning uchun matritsada yangi material qatlamlari hosil bo'ladi.

Ipsimon kristallardagi geterostrukturalar o’sishi

Ipsimon kristallardagi geterostrukturalar • Nanosimlar va ularga asoslangan geterostrukturalar boshqa nanoob'ektlar va makroskopik kristallardan ajratib turadigan bir qator o'ziga xos xususiyatlarga ega. Ulardan eng mashhurlari quyidagilar. Ko'pchilik yarimo'tkazgich kristallari (masalan, GaAs, InAs, InP va boshqalar) Zn aralashmasi ( sfalerit ) kristalli tuzilishga ega bo'lsa, ulardan faqat ba'zilari, masalan, nitrid birikmalari (GaN, AlN), olti burchakli tuzilishga ega vurtsit .

Vurtsitning kristall tuzilishi

Sfaleritning kristall tuzilishi

Купить

Похожие документы
17-guruh elementlari galogenlar
Oltinchi guruh p-elementlari
Bufer eritmalar, bufer eritmalarda pHni aniqlash, tuzlar gidrolizi, tuz effekti
3-guruh d-elementlari
Argos test javoblari