Bipolyar va maydon tranzistorlari parametrlari - Физика - Курсовые работы

Информация о документе

Цена	30000UZS
Размер	870.5KB
Покупки	0
Дата загрузки	17 Март 2025
Расширение	docx
Раздел	Курсовые работы
Предмет	Физика

Продавец

G'ayrat Ziyayev

Дата регистрации 14 Февраль 2025

203 Продаж

Bipolyar va maydon tranzistorlari parametrlari

Купить

Bipolyar va maydon tranzistorlari parametrlari
Mundarija:
Kirish…………………………………………………………………………… 3
I.bob. Tranzistorlar haqida umumiy tushunchalar……………………………… 7
1.1 Bipolyar transistor xos xususiyatlar………………………………………... 7
1.2 Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari ………………………………….. 14
1.3 Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari ………………………………… 17
1.4 Bipolyar tranzistor fizik parametrlari ………………………………………. 20
II. bob Maydon tranzistorlari…………………………………………………… 23
2.1 Maydoniy transistor………………………………………………………… 23
2.2 Maydoniy tranzistorni s tati k xarakteristik alari va asosiy parametrlari ……. 30
Xulosa…………………………………………………………………………... 32
Foydalanilgan adabiyotlar..…………………………………………………….. 33

“Yoshlarimizning mustaqil fikrlaydigan,
yuksak intellektual va ma’naviy salohiyatga ega
bo’lib, dunyo miqyosida o’z tengdoshlariga hech
qaysi sohada bo’sh kelmaydigan insonlar bo’lib
kamol topishi, baxtli bo’lishi uchun davlatimiz va
jamiyatimizning bor kuch va imkoniyatlarini
safarbar etamiz”
Sh.M
.Mirziyoyev.
O’zbekiston Respublikasi Prezidenti.
Kirish
Fizika fani bo‘yicha ta’lim sifatini tubdan oshirish, yuqori malakali pedagog
va ilmiy xodimlarni tayyorlash, ta’lim muassasalarini zamonaviy laboratoriyalar,
darsliklar va boshqa o‘quv jihozlari bilan ta’minlash, ilmiy tashkilotlarning
salohiyatini rivojlantirish, ularning faoliyatini samarali tashkil etish, ilm-fan va
ishlab chiqarish sohalari o‘rtasida o‘zaro yaqin muloqot va hamkorlikni yo‘lga
qo‘yish hamda O‘zbekiston Respublikasi Prezidentining 2020-yil 29-dekabrdagi
Oliy Majlisga Murojaatnomasida belgilangan vazifalarning o‘z vaqtida amalga
oshirilishini ta’minlash maqsadida:
1. 2021 — 2023-yillarda fizika fanlari bo‘yicha ta’lim sifatini oshirish va
fizika sohasidagi ilmiy tadqiqotlarning natijadorligini ta’minlash bo‘yicha
kompleks chora-tadbirlar dasturi (keyingi o‘rinlarda — Kompleks dastur) 1-
ilovaga muvofiq tasdiqlansin.
Quyidagilar Kompleks dasturning asosiy maqsad va vazifalari etib
belgilansin:
umumta’lim muassasalarida fizika fanini o‘qitish sifatini oshirish, darsliklar
va o‘quv qo‘llanmalarini takomillashtirish;
fizika fani bo‘yicha kadrlarni, xususan, qishloq joylardagi maktablarning
o‘qituvchilarini tayyorlash, qayta tayyorlash va malakasini oshirish tizimini
rivojlantirish;
2

ta’lim jarayoniga zamonaviy o‘qitish uslublarini, shu jumladan axborot-
kommunikatsiya texnologiyalarini keng joriy qilish;
pedagog kadrlar va o‘quvchilarning fizika fanini bilish darajasini baholash,
iqtidorli yoshlarni aniqlash hamda ularning mahalliy va xalqaro fan
olimpiadalarida muvaffaqiyatli ishtirok etishi hamda sovrinli o‘rinlar egallashini
ta’minlash;
oliy ta’lim muassasalarida fizika fanlarini o‘qitishning integrativ
prinsiplarini joriy etish, yangi va ta’lim bozorida talab yuqori bo‘lgan
mutaxassisliklar bo‘yicha kadrlar tayyorlashni yo‘lga qo‘yish orqali yoshlarning
fizika ta’limi bilan qamrab olish darajasini oshirish;
fizika sohasidagi ilmiy tadqiqotlarning ishlab chiqarish bilan uzviy
bog‘liqligini ta’minlash, iqtisodiyot tarmoqlaridagi muammolar yechimiga
qaratilgan ilmiy ishlar ko‘lamini kengaytirish;
ilmiy tadqiqotlarning va innovatsiya ishlarining natijadorligi va amaliy
ahamiyatini oshirish.
2. Quyidagilar:
2021-2022-yillarda bosqichma-bosqich respublika hududlarida tashkil
etiladigan fizika faniga ixtisoslashtirilgan 28 ta tayanch maktabi va ularga
biriktirilgan oliy ta’lim muassasalarining kafedralari ro‘yxati 2-ilovaga muvofiq;
2021 — 2023-yillarda fizika fani chuqurlashtirib o‘qitiladigan sinflar tashkil
etiladigan 175 ta maktab va ularga biriktirilgan oliy ta’lim muassasalarining
kafedralari ro‘yxati 3-ilovaga muvofiq;
2021 — 2023-yillarda fizika faniga ixtisoslashtirilgan tayanch maktablari va
fizika fani chuqurlashtirib o‘qitiladigan sinflar tashkil etiladigan maktablarning
fizika fani bo‘yicha sinf xonalari va laboratoriyalarini mebel, o‘quv laboratoriyasi
asbob-uskunalari va boshqa texnik vositalar bilan jihozlash dasturi 4-ilovaga
muvofiq tasdiqlansin.
Belgilansinki, mazkur qarorga 4-ilovada ko‘rsatilgan maktablarning fizika
fani bo‘yicha sinf xonalari va laboratoriyalarini mebel, o‘quv laboratoriyasi asbob-
uskunalari va boshqa texnik vositalar bilan jihozlash 2021-yilda Vazirlar
3

Mahkamasining zaxira jamg‘armasi mablag‘lari, 2022-2023-yillarda Davlat
budjeti parametrlarida nazarda tutilgan mablag‘lar hisobidan amalga oshiriladi.
Kurs ishining dolzarbligi: Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng
muhim voqealaridan biri bo lib, 1833-yilda ingliz olimi Maykl Faradeyʻ
yarimo tkazgich material — kumush sulfidi bilan o tkazgan tajribadan boshlangan
ʻ ʻ
yarimo tkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab bo ldi.
ʻ ʻ
1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimo tkazgich
ʻ
kontaktida bir tomonlama o tkazuvchanlik hodisasini aniqladi.
ʻ
1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimo tkazgichli diod-
ʻ
detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz ba zi bir yarimo tkazgichlar elektr
ʼ ʻ
tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev,
ma lum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega bo lgan diodlarni
ʼ ʻ
yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda
qo llanildi.
ʻ
Bu davrning o ziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda
ʻ
yarimo tkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng o rganilmagan edi. Barcha
ʻ ʻ
yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qo lga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida
ʻ
qanday fizik hodisalar ro y berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan.
ʻ
Ba zida noto g ri xulosalarga ham kelishgan.
ʼ ʻ ʻ
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga
elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimo tkazgichlar fizikasiga qaraganda
ʻ
kengroq o rganilgan bo lgani uchun ko p mutaxassis-radiotexniklar aynan shu
ʻ ʻ ʻ
sohada ishlagan.. Yarimo tkazgichli diodlarga esa mo rt va „injiq“ qurilmalar
ʻ ʻ
sifatida baho berilgan. O sha vaqtlarda yarimo tkazgichlarning katta
ʻ ʻ
imkoniyatlarini hech kim payqamagan. Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha
yo llar bilan kashf qilingan.
ʻ
Kurs ishi mavzusining asosiy vazifalari: Oliy ta’lim muassasalarida
“ Bipolyar va maydon tranzistorlari parametrlari” mavzusini o‘rganish “Fizika”
4

fanining asosiy masalalaridan biri xisoblanadi shuning uchun bu mavzuni
o‘rganishni o‘z oldiga assosiy maqsadlardan biri qilib qo’yadi .
Kurs ishining ob’ekti: Bipolyar transistor xos xususiyatlari. Bipolyar
tranzistorning ulanish sxemalari. Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari.
Bipolyar tranzistor fizik parametrlari asosiy ob’ekt qilib olindi.
Kurs ishi mavzusining mazmuni: Maskur kurs ishi kirish, asosiy qism,
asosiy qism ikkita bobdan tashkil topgan bo’lib rejalarga ajratilgan hamda xulosa
va foydalanilgan adabiyotlar ro‘yhatidan tashkil topgan bo’lib jami 3 2 sahifadan
iborat.
5

I.BOB. TRANZISTORLAR HAQIDA UMUMIY
TUSHUNCHALAR
1.1 Tranzistorlar haqida umumiy tushunchalar
Tranzistor uchta soxadan iborat yarim o‘tkazgichli asbobdir. Urta kismi baza
deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki kismlariga nisbatan kam va
yupka bo‘ladi. Baza kalinligi L
Б elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga
kadar erkin yugurib utgan masofasi L
д ga nisbatan kichik L
Б < L
Д .bulsa yupka baza
deb yuritiladi. L
Д shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki
kismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Tranzistorning tuzilishi
triodga kiyoslansa, emitter – katodga, baza- turga, kollektor - anodga uxshatiladi.
Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi in’ektsiya, ya’ni
injektsiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron
lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli elektronlar hosil
bulishi orasidagi fark tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash printsipi
jihatidan ham fark kiladi. Triodda turga kuchlanish berilsa ham, anod toki hosil
bo‘ladi. Tranzistorda esa baza toki bulmasa, kollektor toki ham bulmaydi. Diskret
tranzistorda r-n utishlar yarim o‘tkazgichli plastinaning karama – qarshi
tomonlarida joylashgan. Utishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham
mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter soxasida
aralashma miqdori ko‘p rok bo‘ladi. Kollektor zaryad tashuvchilarni
ekstraktsiyalash (sugurib olish) vazifasini bajaradi.
Tranzistorning bazasi n yoki р utkazuvchanlikka ega bulishi mumkin.
Shunga kura chetki kismlari р yoki n utkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Demak,
tranzistor р – n - р yoki n- р - n strukturali bo‘ladi. Tranzistorda ikkita р -n utish
mavjud. Buni xisobga olgan holda tranzistorni ketma –ket ulangan ikkita
boglangan diod sifatida qarash mumkin. Uning chetki uchlariga kuchlanish
ulanganda r-n utishlarning biri tugri utish bo‘lsaikkinchisi teskari bulganligidan xar
ikkala yunalishda ham sistemadan tok utmaydi. Tranzistorni ikkita tok manbaiga
ulaylik. K kalit ochik bo‘lganda emitter zanjirida tok bulmaydi.
6

(1.1) 1- rasm .
Kollektor zanjirida esa oz miqdorda teskari р- n utish toki ( I
кБт, т- teskari
demak ) bo ‘ ladi . K - kalit ulanganda emitter zanjirida tok hosil bo ‘ ladi .
Chunki Е
э . manba kuchlanishi emitter – baza yo ‘ nalishida tugri р- n utish
hosil kiladi . Bunda ko ‘ pchilik kovaklar emitterdan bazaga utganda L
Б > L
Д .
bulganligidan kollektor o ‘ tishiga yetib boradi . Natijada kollektor toki ortadi.
Umuman olganda tranzistorning asosiy xossasi bazada borayotgan jarayonlar bilan
belgilanadi. Bazada chet moddalar taksimlanishi natijasida unda asosiy bo‘lmagan
zaryadlarni emitterdan kollektorga o‘tishiga yordam beruvchi elektr maydon
bo‘lsabunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada xususiy maydon
bulmasa, asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar baza orqali asosan diffuziya tufayli
utsa bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor deb ataladi.Tranzistorning chikish
xarakteristikasida I
э = 0. ga mos kelgan xarakteristika K kalit ochik bulgan holni
ifodalaydi. Harakteristikadan kurinadiki kollektor - bazaga quyilgan manfiy
kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi.
Buni tushuntirish uchun tranzistorning potentsial diagrammasi bilan tanishib
chikaylik. Unda tranzistorning zaryadlarga kambagallashgan soxalari ham
ko‘rsatilgan. Emitter va kollektor soxalarida zaryadlangan zarrachalar
kontsentratsiyasi katta bulganligidan kambagal soxa asosan baza katlamida bulib,
ikki soxa orasidagi masofa ya’ni bazaning effektiv kalinligi baza kalinligidan
kichik bo‘ladi. Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor o‘tishidagi
kambagal katlamning kengayishiga olib keladi. Natijada bazaning effektiv kalinligi
kamayadi. Bu xodisa baza kalinligining modulyatsiyasi deb ataladi.
7

(1.1) 2-rasm.
Emitter toki fakat kovaklar xarakati tufayli hosil bulmasdan elektronlar
xarakati bilan ham boglik. Kollektorda esa tok fakat kovaklar xarakati tufayli
vujudga keladi. Shu sababli emitterning samadorligi
 =I
эр / I
эр + I
эн
orqali aniklanadi. Bu yerda I
эр - kovaklar xarakati tufayli hosil bulgan
emitter toki; I
эн -. elektronlar xarakati tufayli hosil bulgan emitter toki.
(1.1) 3-rasm.
Emitterning bazaga injektsiyalangan (purkalgan) bir kism kovaklar bazadan
asosiy zaryad tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalanadi. Baza orqali
o‘tib boruvchi kovaklar, baza uchun asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zarrachalar
xisoblanadi. Kuyidagi  = I
к - I
КБТ . / I
эр nisbat bilan aniklanadigan kattalik baza
orqali utuvchi asosiy bo‘lmagan zaryad tushuvchilarni utkazish koefftsenti deb
yuritiladi.Emitterning samaradorligi va utkazish koeffitsiyenti tranzistor katta
signal bilan ishlagandagi tok uzatish koefftsenti.h
21 Б . ni belgilaydi.
Bu koeffitsent h
21 Б = = -  da teng. Kollektorga kirib keluvchi tok
yo‘nalishi musbat yo‘nalishi musbat yunalish deb qabul qilinganligidan «minus»
ishora quyiladi. h21B koeffitsiyenti tranzistorning muxim parametrlaridan biri
xisoblanib sifatli tayorlangan tranzistorlarda birga yakin bo‘ladi. Tranzistorni
8

zanjirga ulash umumiy bazali(UB) sxema deb yuritiladi. Bu sxema buyicha Е
ЭБ va
Е
КБ manbaalarning ulanish usuliga kura tratzistorlar turli rejimda ishlashi mumkin.
Shulardan tranzistor aktiv rejimda ishlaganda undan utuvchi tokni
boshkarish samarali bo‘ladi.
Umuman olganda tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi mumkin. Е
1
va Е
2 . batariyalar hosil kilinadigan tok zanjirida emitter xar ikkalasi uchun
umumiydir. Shu sababli bunday ulash umumiy emitterli sxema deb yuritiladi.
Xuddi shunday umumiy kollektorli sxemalarni ham tuzish mumkin.
Tranzistorlardan signallarni kuchaytirish, impulsli sxemalar tuzish va x larda
foydalanish mumkin. Shu sababli tranzistorlarlarga signal ta’sir ettirilganda uning
parametirlari qanday o‘zga rishga aloxida ahamiyat beriladi.
(1.1) 4- rasm .
Tranzistorlarga kichik signal ta ’ sir ettirilganda uni chiziqli aktiv
nosimmetrik turt kutbli deb qarash mumkin . Kichik signal ta’sir ettirish deyilganda
signal amplitudasi 1,5 barabor orttirilganda tranzistor parametrlari 10 % dan ko‘p
ga ortmaydigan hol kuzda tutiladi. Shunda turt kutbli parametrlarni xisoblash
usulini kullash mumkin. Odatda tranzistorlarning h parametrlarini UB va UE
sxemalari uchun xisoblanadi. Bu sxemalar yordamida topilgan parametrlar o‘zaro
quyidagicha boglangan. ;
h
11 б  h
11 э / 1+h
21 э 2 б h
12 б  h
11 э h
22 э / 1+ h
21 э
h
21 б  h
21 э / 1+h
21 э ; h
22 б  h
22 э / 1+ h
21 э
Shularning eng ko‘p ishlatiladigan UB sxemada h
12 б = -  =  I
к /  I
э 
U кб
 со nst
va UEsxema uchun h
21 э = -  =  I
к /  I
б 
U кэ
 со nst
Bulib ular o‘zaro quyidagicha boglangan  =  / 1- 
9

Tranzistordan utuvchi toklarni kuchlanishga boglikligi statik volt - amper
xarakteristikalari orqali ifodalanadi. Ular kirish va chikish xarakteristikalariga
ajratiladi. Kirish xarakteristikasi deyilganda chikish zanjirining kuchlanishi
o‘zgarmas saklangan holda, kirish zanjiridagi tokning kirish kuchlanishiga
bogliklik grafigi tushuniladi.
Tranzistordan kuchaytirgich sifatida foydalanilganda umumiy emitterli
sxemada signalni kuchlanish buyicha 10-200 marta kuchaytirish mumkin. Shu
sabali UE sxema boshkalariga nisbatan ko‘prok kullaniladi. Lekin UE sxemada
qarshiligi 500-1000 Om, chikish qarshiligi 2-20 kOM atrofida bo‘ladi.
Kirish qarshiligi kichik bulganida boshka kurilmalarga moslash davrida
kiyinchiliklar tugiladi. UK sxemada kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki bilan
bir xil. UB sxemada tok buyicha kuchaytirish bir atrofida kuchlanish buyicha
kuchaytirish UE niki kabi bo‘ladi. Kirish qarshiligi bu sxemada juda kichik 10-200
Om atrofida bulganligidan ko‘pincha elektr signallarini generatsiyalash va shunga
uxshash kurilmalarda ishlatiladi.
1.2 Bipolyar transistor xos xususiyatlar
Bipolyar tranzistor deb o’zaro tasirlashuvchi ikkita r- n o’tish va uchta
elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega bo’lgan yarim o’tkazgich asbob ga aytiladi.
Tranzistordan tok oqib o’tishi ikki turdagi zaryad tashuvchilar - elektron va
kovaklarning ҳarakatiga asoslangan.
Bipolyar tranzistor r-n-r va n-r-n o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan uchta yarim
o’tkazgichdan tashkil topgan (4.1 a va b -rasm). Endilikda keng tarqalgan n-r-n
tuzilmali bipolyar tranzistorni ko’rib chiqamiz.
Tranzistorning kuchli legirlangan chekka soҳasi ( n +
- soҳa) emitter deb
ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o’rta soҳaga ( r - soҳa)
injektsiyalaydi. Keyingi chekka soҳa ( n - soҳa) kollektor deb ataladi. U emiitterga
nisbatan kuchsizroq legirlangan bo’lib, zaryad tashuvchilarni baza soҳasidan
ekstraktsiyalash uchun xizmat qiladi (4.2- rasm). Emitter va baza oraliғidagi o’tish
emitter o’tish, kollektor va baza oraliғidagi o’tish esa -kollektor o’tish deb ataladi.
10

(2.1) 1 – rasm.
Tashqi kuchlanishmanbalari ( U
EB , U
KB ) yordamida emitter o’tish to’ғri
yo’nalishda, kollektor o’tish esa – teskari yo’nalishda siljiydi. Bu ҳolda tranzistor
aktiv yoki normal rejimda ishlaydi v a uning kuchaytirish xossalari namoyon
bo’ladi.
(2.1) 2 – rasm.
Agar emitter o’tish teskari yo’nalishda, kollektor o’tish esa to’ғri
yo’nalishda siljigan bo’lsa, u ҳolda bu tranzistor invers yoki teskari ulangan deb
ataladi. Tranzistor raqamli sxemalarda qo’llanilganda u to’yinish rejimida (ikkala
o’tish ҳam to’ғri yo’nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o’tish teskari
siljigan) ishlashimumkin.
11

1.2 Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish
zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalarimavjud:
umumiy baza (UB) (4.3 a -rasm); umumiy emitter (UE) (4.3 b -rasm); umumiy
kollektor (UK) (4.3 v - rasm). Bu vaqtda umumiy chiqish potentsiali nolga teng deb
olinadi. Kuchlanishmanbai qutblari va tranzistor toklarining yo’nalishi
tranzistorning aktiv rejimigamos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga
ega bo’lib, juda kam ishlatiladi.
a) b) v)
(1. 2 ) 3 – rasm.
Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. UB ulanish sxemasida
aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar
tranzistorni o’zgarmas tokda ishlashini qo’rib chiqamiz (2.1. 3 a -rasm). Bipolyar
tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo’lib baza soҳasining etarlicha
kichik kengligi W ҳisoblanadi; bu vaqtda
W L sharti albatta bajarilishi kerak ( L- bazadagi asosiy bo’lmagan zaryad
tashuvchilarning diffuziya uzunligi).
Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy ҳodisaga asoslangan:
- emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi;
- bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o’tishi;
- bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o’tishga
12

etib kelgan asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga
ekstraktsiyasi.
Emitter o’tish to’ғri yo’naliishda siljiganda ( U
EB kuchlanishmanbai bilan
taminlanadi) uning potentsial to’siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga
elektronlar injektsiyasi sodir bo’ladi. Elektronlarning bazaga injektsiyasi, ҳamda
kovaklarni bazadan emitterga injektsiyasi tufayli emitter toki I
E shakllanadi.
SHunday qilib, emitter tokiэp эn Э I I I  
,
bu erda I
en , I
er mos ravishda elektron va kovaklarning injektsiya toklari.
Emitter tokining I
er tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o’tmaydi va zararli
ҳisoblanadi (tranzistorning qo’shimcha qizishiga olib keladi). I
er ni
kamaytirishmaqsadida bazadagi aktseptor kiritma kontsentratsiyasi emitterdagi
donor kiritma kontsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.
Emitter tokidagi I
en qismini injektsiya koeffitsienti aniqlaydi.
Э
эn
I
I
 
,
Bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi (
 =0,990-0,995).
Injektsiyalangan elektronlar kollektor o’tish tomon baza uzunligi bo’ylab
elektronlar zichligining kamayishi ҳisobiga bazaga diffundlanadilar va kollektor
o’tishga etgach, kollektorga ekstraktsiyalanadilar (kollektor o’tish elektrmaydoni
ҳisobiga tortib olinadilar) va I
Kn kollektor toki ҳosil bo’ladi.
Zichlikning kamayishi kontsentratsiya gradienti deb ataladi. Gradient
qancha katta bo’lsa, tok ҳam shuncha katta bo’ladi. Bu vaqtda bazadan
injektsiyalanyotgan elektronlarning bir qismi kovaklar bilan bazaga
ekstraktsiyalanishini ҳam ҳisobga olish kerak. Rekombinatsiya jarayoni bazaning
elektr neytrallik shartini tiklash uchun talab qilinadigan kovaklarning kamchiligini
yuzaga keltiradi. Talab qilinayotgan kovaklar baza zanjiri bo’ylab kelib tranzistor
baza toki I
brek ni yuzaga keltiradi. I
brek toki kerak emas ҳisoblanadi va shu sababli
uni kamaytirishga ҳarakat qilinadi. Bu ҳolat baza kengligini kamaytirish ҳisobiga
13

amalga oshiriladi W Ln (elektronlarning diffuziya uzunligi). Bazadagi
rekombinatsiya uchun emitter elektron tokining yo’qotilishi elektronlarning
uzatish koeffitsienti bilan xarakterlana di :
Эn
Kn
П I
I
 

Real tranzistorlarda
П  =0,980-0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning kollektor o’tishi teskari yo’naliishda ulanadi
( U
kb kuchlanishmanbai ҳisobiga amalga oshiriladi) va kollektor zanjirida, asosiy
bo’lmagan zaryad tashuvchilardan tashkil topgan ikkita dreyf toklaridan iborat
bo’lgan kollektorning xususiy toki Ik
0 oqib o’tadi.
SHunday qilib, kollektor toki ikkita tashkil etuvchidan iborat bo’ladi
0K K n K I I I  
Agar I
Kn ni emitterning to’liq toki bilan aloqasini ҳisobga olsak, u ҳolda
0K Э Kn I I I   
,
bu erda
П    - emitter tokining uzatish koeffitsienti . Bu kattalik UB
ulanish sxemasidagi tranzistorni kuchaytirish xossalarini namoyon etadi.
Kirxgofning birinchi qonunigamos ravishda baza toki tranzistorning boshqa
toklari bilan quyidagi nisbatda boғliq
K Б Э I I I  
.
Bu ifodani (4.4)ga qo’yib, baza tokining emitterning to’liq toki orqali
ifodasini olishimizmumkin:
  0 1 K Э Б I I I    
.
Koeffitsient
  1 ligini ҳisobga olgan ҳolda, shunday ҳulosa
qilishmumkin: UB ulanish sxemasi tok bo’yicha kuchayish bermaydi (
Э K I I  ).
14

Tok bo’yicha yaxshi kuchaytirish natijalarini umumiy emitter sxemasida
ulangan tranzistorda olishmumkin. Bu sxemada emitter umumiy elektrod, baza
toki - kirish toki, kollektor toki esa – chiqish toki ҳisoblanadi.
(1.2. 1) va (1.2. 2) ifodalardan kelib chiqqan ҳolda UE sxemadagi
tranzistorning kollektor toki quyidagi ko’rinishga ega bo’ladi:  0K Б K K I I I I    
.
Bundan
0 1
1
1 K Б K I I I
 





. (1.2.7)
Agar

 


1 belgilash kiritilsa, (1. 2 .7) ifodani quyidagicha
yozishmumkin:
0 )1 ( K Б K I I I     
. ( 1.2 .8)
Koeffitsient
 - baza tokining uzatish koeffitsienti deb ataladi.  ning
qiymati o’ndan yuzgacha, bazi tranzistor turlarida esa bir nechaminglargacha
oraliғida bo’lishimumkin. Demak, UE sxemasida ulangan tranzistor tok bo’yicha
yaxshi kuchaytirish xossalariga ega ҳisoblanadi.
1.3 Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari
Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo’yilmagan
ҳolda o’rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o’zaro
boғliqlikni ifodalaydi. Ҳar bir ulanish uchun statik xarakteristikalar
oilasimalumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo’lib tranzistorning kirish va
chiqish xarakteristikalari ҳisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish
xarakteristikalaridan ҳosil qilinishimumkin.
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo’lib U
KB = const
bo’lgandagi I
E = f (U
EB ) boғliqlik, UE sxemasi uchun esa U
KE = const bo’lgandagi
I
B =f(U
BE ) boғliqlik ҳisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri
15

odatda to’ғri yo’nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. SHu sababli tashqi
ko’rinishiga ko’ra kirish xarakteristiklari eksponentsial xarakterga ega (4.4- rasm).
Rasmlardan ko’rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o’zgarishi kirish
xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza
kengliginingmodulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buningmanosi shundaki, kollektor
o’tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda
baza soҳasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi ҳisobiga sodir bo’ladi.
Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar
rekombinatsiyasining kamayishi ҳisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi
asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar kontsentratsiya gradientining ortishi
ҳisobiga emitter tokining ortishi.
a) b)
( 1. 3) 1 – rasm.
SHu sababli kollektor o’tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB
sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o’ngga siljiydi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo’lib I
E
=const bo’lgandagi I
K = f (U
KB ) boғliqlik, UE sxemada esa I
B =const bo’lgandagi
I
K = f (U
KE ) boғliqlik ҳisoblanadi.
CHiqish xarakteristikalari ko’rinishiga ko’ra teskari ulangan diod VAX siga
o’xshaydi, chunki kollektor o’tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda
kollektor o’tishning teskari kuchlanishini o’ngda o’rnatish qabul qilingan (1.3 2 –
rasm).
16

a) b)
(1.3) 2 – rasm.
1.3 a - rasmdan ko’rinib turibdiki, UB sxemadagi chiqish xarakteris-tikalari
ikki kvadrantlarda joylashgan: birinchi kvadrantdagi VAX aktiv ish rejimiga,
ikkinchi kvadrantdagisi esa – to’yinish ish rejimigamos keladi. Aktiv rejimda
chiqish toki (4.4) nisbat bilan aniqlanadi. Aktiv rejimgamos keluvchi xarakteristika
soҳalari abstsissa o’qiga uncha katta bo’lmagan qiyalikda, deyarli parallel
o’tadilar. Qiyalik yuqorida aytib o’tilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi. I
E =0
bo’lganda (emitter zanjiri uzilganda) chiqish xarakteristikasi teskari siljigan
kollektor o’tish xarakteristikasi ko’rinishida bo’ladi. Emitter o’tish to’ғri
yo’nalishda ulanganda injektsiya toki ҳosil bo’ladi va chiqish xarakteristiklari) ( 1 2 Э Э I I  
kattalikka chapga siljiydi va x.z.
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada
ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega.
CHunki uning ko’rinishiga Erli effekti katta tasir ko’rsatadi. Boғliqliklarning
umumiy xarakteri (4.5 b -rasm) kollektor va baza toklari orasidagi quyidagi
boғliqlik bilan aniqlanadi:
0 КЭ Б K I I I   
,
bu erda I
KE0 – I
B =0 (uzilgan baza) bo’lgandagi kollektorning to’ғri toki. I
KE0
toki I
K0 tokidan
1   martaga katta bo’ladi, chunki U
BE =0 bo’lganda U
KE
17

kuchlanishining bir q i smi emitter o’tishga qo’yilgan bo’ladi va uni to’ғri
yo’nalishda siljitadi. SHunday qilib, I
KE0 =(1   )I
K0 – ancha katta tok bo’lib,
tranzistor ishining buzilishini oldini olishmaqsadida baza zanjirini uzish kerak.
Baza toki ortishi bilan kollektor toki
) ( 1 2 Б Б I I   kattalikka ortadi va
x.z., va xarakteristika yuqoriga siljiydi. UE sxemadagi chiqish VAXlarining asosiy
xossasi shundaki, ҳam aktiv va ҳam to’yinish rejimlarida bir kvadrantda
joylashadi. YAni, elektrodlarning berilgan kuchlanish ishoralarida ҳam aktiv rejim,
ҳam to’yinish rejimida bo’lishimumkin. Rejimlar almashinishi kollektor o’tishdagi
kuchlanishlar nolga teng bo’lganda sodir bo’ladi. Kollektor soҳa qarshiligini
ҳisobga olmagan ҳolda U
KE = U
KB + U
BE bo’lgani uchun, talab qilinayotgan
bo’saғaviy kuchlanish qiymati U *
KE = U
BE bo’ladi. U
BE qiymati berilgan baza
tokida kirish xarakteristikasidan aniqlanadi.
1.4 Bipolyar tranzistor fizik parametrlari
Tok bo’yicha
 va  koeffitsientlar statik parametrlar ҳisoblanadi, chunki
ular o’zgarmas toklar nisbatini ifodalaydilar. Ulardan tashqari tok o’zgarishlari
nisbati bilan ifodalanidigan differentsial kuchaytirish koeffitsientlari ҳam keng
qo’llaniladi. Ctatik va differentsial
 kuchaytirish koeffitsientlari bir biridan farq
qiladilar, shu sababli talab qilingan ҳollarda ular ajratiladi. Tok bo’yicha
kuchaytirish koeffitsientining kollektordagi kuchlanishga boғliqligi Erli effekti
bilan tushuntiriladi.
UE sxemasi uchun tok bo’yicha differentsial kuchaytirish koeffitsienti
Б
K
dI
dI  
temperaturaga boғliq bo’lib baza soҳasidagi asosiy bo’lmagan
zaryad tashuvchilarning yashash vaqtiga boғliqligi bilan tushuntiriladi.
Temperatura ortishi bilan rekombinatsiya jarayonlari sekinlashishi sababli, odatda
tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsientining ortishi kuzatiladi.
Tranzistor xarakteristikalarin in g temperaturaviy barqaror emasligi asosiy
kamchilik ҳisoblanadi.
18

YUqorida ko’rib o’tilgan tok bo’yicha uzatish koeffitsientidan tashqari, fizik
parametrlarga o’tishlarning differentsial qarshiliklari, soҳalarning ҳajmiy
qarshiliklari, kuchlanish bo’yicha teskari aloqa koeffitsientlari va o’tish ҳajmlari
kiradi.
Tranzistorning emitter va kollektor o’tishlari o’zining differentsial
qarshiliklari bilan ifodalanadilar. Emitter o’tish to’ғri yo’nalishda siljiganligi
sababli, uning differentsial qarshiligi r
E ni (2.6) ifodani qo’llab aniqlashmumkin:Э
Т
Э
ЭБ Э I dI
dU r   
bu erda I
E – tokning doimiy tashkil etuvchisi. U kichik qiymatga ega (tok
1mA bo’lganda r
E = 20-30 Om ni tashkil etadi) bo’lib, tok ortishi bilan kamayadi va
temperatura ortishi bilan ortadi.
Tranzistorning kollektor o’tishi teskari yo’nalishda siljiganligi sababli, I
K
toki U
KB kuchlanishiga kuchsiz boғliq bo’ladi. SHu sababli kollektor o’tishning
differentsial qarshiligi
K
KБ K dI
dU r  =1Mom bo’ladi. r
K qarshiligi asosan Erli
effekti bilan tushuntiriladi va odatda u ishchi toklarning ortishi bilan kamayadi.
Baza qarshiligi r
B bir necha yuz Omni tashkil etadi. Etarlicha katta baza
tokida baza qarshiligidagi kuchlanish pasayishi baza va emittter tashqi chiqishlari
kuchlanishiga nisbatan emitter o’tishdagi kuchlanishni kamaytiradi.
Kichik quvvatli tranzistorlar uchun kollektor qarshiligi o’nlab Om, katta
quvvatliklariniki esa birlik Omlarni tashkil etadi.
Emittter soҳa qarshiligi yuqori kiritmalar kontsentratsiyasi sababli baza
qarshiligiga nisbatan juda kichik.
UB sxemadagi kuchlanish bo’yicha teskari aloqa koeffitsienti ( I
E = const
bo’lganida)
КБ
ЭБ
УБ dU
U d   kabi aniqlanadi, UE sxemasida esa ( I
B = const
bo’lganida)
КЭ
БЭ
УЭ dU
U d
  orqali aniqlanadi. Koeffitsientlar absolyut qiymatlariga
19

ko’ra deyarli bir – xil bo’ladilar va kontsentratsiya va tranzistorlarning
tayyorlanish texnologiyasiga ko’ra УЭ  = 10 -2
-10 -4
ni tashkil etadilar.
Bipolyar tranzistorlarning xususiy xossalari asosiy bo’lmagan zaryad
tashuvchilarning baza orqali uchib o’tish vaqti va o’tishlarning to’siq siғimlarining
qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadilar. Bu tasirlarning nisbiy aҳamiyati
tranzistor konstruktsiyasi va ish rejimiga, ҳamda tashqi zanjir qarshiliklariga boғliq
bo’ladi.
Juda kichik kirish signallari va aktiv ish rejimi uchun bipolyar tranzistorni
chiziqli to’rtqutblik ko’rinishida ifodalashmumkin va bu to’rtqutblikni biror
parametrlar tizimi bilan belgilashmumkin. Bu parametrlarni x–parametrlar deb
atash qabul qilingan. Ularga quyidagilar kiradi: x
11 – chiqishda qisqa tutashuv
bo’lgan vaqtdagi tranzistorning kirish qarshiligi; x
12 – uzilgan kirish ҳolatidagi
kuchlanish bo’yicha teskari aloqa koeffitsienti; x
21 –chiqishda qisqa tutashuv
bo’lgan vaqtdagi tok bo’yicha kuchaytirish (uzatish) koeffitsienti; x
22 –uzilgan
kirish ҳolatidagi tranzistorning chiqish o’tkazuvchanligi. Barcha x – parametrlar
oson va bevosita o’lchanadi.
Elektronika bo’yicha avvalgi adabiyotlarda kichik signalli parametrlarning
chastotaviy boғliqliklariga juda katta etibor qaratilgan. Ҳozirgi vaqtda 10 GGts
gacha bo’lgan chastotalarda normal ishni taminlaydigan tranzistorlar ishlab
chiqarilmoqda. Bunday xollarda talab qilinayotgan chastota xarakteristikalarini
olish uchunmalumotnomadan kerakli tranzistor turini tanlash kerak.
20

II.BOB MAYDON TRANZISTORLARI
2.1 Maydoniy transistor
Avval ko‘rilgan dreyfsiz va dreyfli tranzistorlarga qaraganda bu tipdagi
tranzistorlar uni qutbli hisoblashadi, ularnig ishlash prinspida ikki tipdagi zaryad
tashuvchilarning ishlatilishi yotadi: elektronlarni va teshiklarni – va shunig uchun
ularni qo‘shqutbli deb atashadi.
Uni qutbli tranzistorlarda injeksiya holati ishlatilmaydi va ularning ishlash
prinsipida zaryad tashuvchilarning bir belgili – yo elektronlar, yoki teshiklarni
ishlatish yotadi. Ular shuningdek maydonli deyiladi, chunki tokning boshqarilishi
elektr maydonini o‘zgartirish yo‘li bilan bajariladi.
Maydon tranzistorlari, boshqacha qilib aytganda uni qutbli yoki kanallarni
yaratish g‘oyasini qo‘shqutbli tranzistorni yaratiuvchilardan biri U.Shokli 1952 y
taklif qildi. Bu tranzistorlarning asosiy ustunligi katta kirish qarshiligi (lampalarga
o‘xshash va o‘ndan katta) N-p o‘tishli va p tipdagi kanalli maydon tranzistorining
ulanish sxemasi prinsipi 18-rasmda tasvirlangan.
(2.1) 1-rasm.
Yarim o‘tkazuvchanligi plastinka (p-tipidagi) qarama qarshi uchlarida
elektrodlarga ega uning yordamida kuchaytiruvchi kaskadning chiqish
(boshqariladigan) zanjiriga ulangan. Bu zanjir Е
2 manbadan ta’minalanadi va unga
yuklanish Ryu ulangan. Tranzistor bo‘ylab asosiy tashuvchilar toki o‘tadi
(elektron toki). Kirish (boshqaradigan) tranzistor zanjiri boshqa tipdagi elektr
o‘tkazuvchanlik hududi bo‘lgan uchinchi elektrod yordamida tashkillangan (bu n-
hududi). Е
1 manba yagona n-p-o‘tishida teskari kuchlanish yaratadi.
21 с
R
юп
ТМ
-Е
1 + - Е
2 +

O‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilmaydi, chunki bunda tranzistorning kirish
qarshiligi juda kam bo‘ladi. Kirish zanjiriga kuchaytiriladigan tebranishlarnig
manbai TM ulangan.
Maydon tranzistorida fizik jarayonlarni ko‘rib chiqamiz. Kirish kuchlanish
o‘zgarganda n-p o‘tishda teskari kuchlanish o‘zgaradi, buning natijasida yopuvchi
qatlamining qalinligi o‘zgaradi (2.1. 1-rasmda bu hudud shtrixlangan chiziqlar
bilan chegaralangan). Asosiy zaryad tashuvchilar oqimi o‘tadigan hududning
ko‘ndalang kesim maydoni tegishli ravishda o‘zgaradi (chiqish toki). Bu hudud
kanal deb nomlanadi. Kanalga oqib o‘tadigan asosiy zaryad tashuvchilar elektrodi
istok(I) deb nomlanadi. Istok va stok lampaning katod va anodga o‘xshash (yoki
qo‘shqutbli tranzistorning emitter va kollektoriga). Kanalning ko‘ndalang kesim
maydonini rostlash uchun mo‘ljallangan boshqaruvchi elektrod zatvor deb
nomlanadi. Zatvor lampaning to‘riga o‘xshash (yoki qo‘shqutbli tranzistorning
bazasiga), garchi ularning ishlash prinsipi ancha farqlanadi.
Agar zatvorda kuchlanish oshirilsa, bunda yopuvchi qatlam qalinlashadi va
kanalning ko‘ndalang kesim maydoni kamayadi. O‘zgarmas tokka bo‘lgan uning
qarshiligi Ro oshadi va stok toki ishi kamayadi. Zatvorda ma’lum bir kuchlanishda
kanalning ko‘ndalang kesim maydoni nolga teng bo‘ladi va stok toki juda kichik
miqdorgacha kamayadi. Tranzistor yopiladi. Zatvorda kuchlanish O ga teng
bo‘lganida, kanalning kesimi eng katta miqdorgacha oshib boradi, qarshilik R
o eng
kam miqdorigacha kamayadi, stok toki maksimal miqdorgacha oshadi. Kirish
kuchlanishi yordamida chiqish toki bilan yuqori samarali boshqarish uchun, kanal
yaratilgan asosiy yarim o‘tkazuvchini materiali yuqoriomili bo‘lishi kerak, ya’ni
aralashmalar konsentratsiyasi yuqori bo‘lmasligi kerak. Shunda yopuvchi qatlam
eng katta qalinligida bo‘ladi. Bundan tashqari kanalning o‘zini boshlang‘ich
qalinligi (kirish kuchlanishi nol bo‘lganida) yetarlicha kichik bo‘lishi kerak.
Stokka yaqinlashgan sari kanal bo‘ylab potensial oshishi sababli, bunda stok
yaqinrog‘ida o‘tishni teskari kuchlanishi oshadi va yopuvchi qatlam qalinligi katta
bo‘ladi.
22

O‘tishni boshqaradigan maydon tranzistorlardan tashqari izolyatsiyalangan
zatvorli tranzistorlar deb nomlanuvchilar mavjud. Boshqacha qilib aytganda
MDYA tranzistorlari (metall-dielektrik-yarimo‘tkazuvchi). 19-rasmda Bunday
tranzistorning tuzilish prinsipi ko‘rsatilgan.
2.1. 2-rasm.
Asos bo‘lib elektr o‘tkazuvchanligi n-tipdagi kremniy plastinkasi xizmat
qiladi. Unda yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan p-tipdagi elektr
o‘tkazuvchanligi ikki hududga qaratilgan. Bu hududlar istok va stok bo‘lib va
ulardan uchlar chiqarilgan. Stok va istok orasida elektr o‘tkazuvchanligi p-tipdagi
yuza ustidagi kanal bor. Shtrixlangan hudud bu kremniy dioksididan dielektrik
qatlam (uning qalinligi odatda, 0,1-0,2 mkm dan iborat). Dielektrik qatlami ustida
yupqa metall plenka ko‘rinishidagi zatvor joylashgan. Bunday tranzistorning
kristalli odatda istok bilan birlashgan va uning potensiali nolki deb qabul qilinadi.
Ba’zan kristalldan alohida uch chiqarilgan bo‘ladi. Ko‘rilgan tranzistorni hususiy
kanali (o‘rnatilgan) tranzistor deb nomlanadi. Ko‘ramiz, qanday u ishlar ekan.
Agar zatvorga nolli kuchlanish berilgan bo‘lsa, kuchlanish berilgandan keyin
stok va istok oralig‘ida kanal orqali tok oqadi, bu tok elektronlar oqimi
hisoblanadi. Kristall orqali tok bormaydi, chunki n-p o‘tishlardan biri teskari
kuchlanishda bo‘ladi. Istokka nisbatan (demak kristallga nisbatan ham) zatvorga
teskari qutbli kuchlanish berilganda, kanalda ko‘ndalang elektr maydoni hosil
bo‘ladi, u esa istok hududiga, stokka va kristallga kanaldan elektronlarni itarib
chiqaradi. Kanal elektronlardan kamayadi, uning qarshiligi oshadi, tok kamayadi.
Zatvorda qancha ko‘p kuchlanish bo‘lsa, shunchalik tok kam bo‘ladi. Bunday
rejim kambag‘allashish rejimi deyiladi. Agar zatvorga musbat kuchlanish berilsa,
bunda maydon ta’siri tufayli stok, istok va kristall hududlaridan kanalga
23

elektronlar kela boshlaydi. Kanal qarshiligi tushib ketadi, tok oshib boradi. Bunday
rejim boyitish rejimi deyiladi. Agar kristall p-tipda bo‘lsa, unda kanal n-tipda
bo‘lishi kerak va kuchlanishni qutbi teskariga o‘zgaradi.
Yuqoridagidan u shunday farq qiladiki, zatvor ma’lum bir qutblikda
kuchlanish berilgandagina kanal paydo bo‘ladi (-rasm).
2.1. 3-rasm.
Zatvorda kuchlanish bo‘lmaganida kanal yo‘q, p-tipdagi istok va stok
oralig‘ida faqat n-tipdagi kristall joylashgan va n-p-o‘tishlaridan birida teskari
kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu holatda stok va istok oralig‘idagi qarshilik juda
yuqori va tranzistor yopiq. Zatvorga musbat qutili kuchlanish berilganida,
zatvorning maydoni ta’sirida o‘tkazuvchanlik elektronlari zatvor yo‘nalishi
bo‘yicha stok va istok hududidan va n-hududidan o‘tishni boshlaydi. Zatvorda
kuchlanish o‘zining yopuvchi (bo‘sag‘ali) miqdoriga (birlar voltiga) yetib
borganida, yuzaning tepa qatlamida elektronlar konsentratsiyasi shunday
ko‘payadiki, teshiklar konsentratsiyasidan oshib ketadi va bu qatlamda inversiya
tipidagi elektr o‘tkazuvchanlik sodir bo‘ladi, ya’ni yupqa p-tipdagi kanal hosil
bo‘ladi va tranzistor tok o‘tkaza boshlaydi. Zatvorda qancha kuchlanish ko‘p
bo‘lsa, shuncha stokda tok katta bo‘ladi. Ko‘rinib turibdiki, bunday tranzistor faqat
boyitish rejimida ishlay oladi. Agar asosi p-tipda bo‘lsa, unda n-tipdagi
induksiyalangan kanalli tranzistorlar ko‘pincha qayta ulash qurilmalarda (ovoz
texnikasida) uchratiladi.
Maydon tranzistorlarning ulanish sxemalari qo‘sh qutblarni ulanish
sxemalariga o‘xshash. Ta’kidlash kerakki, maydon tranzistori, qo‘sh qutbliga
qaraganda, ancha katta kuchaytirish koeffitsiyentini olishga imkon yaratadi.
24N Z S

Yuqori kirish (va kichik chiqish) qarshiliklarga ega bo‘lib, maydon
tranzistorlari muntazam ravishda qo‘sh qutblarni siqib chiqaryapdi. Yana shuni
esda tutish kerakki, maydon tranzistori statik elektrdan juda «qo‘rqishadi», shuning
uchun ular bilan ishlaganda statik elektrdan himoyalash bo‘yicha juda qattiq
talablar qo‘yiladi.
Maydoniy transistor. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini
boshqarish ychun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanligikni o‘zgartirish
hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv
asbobga aytiladi.
Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun
mo‘ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda
tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki
elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb
ham ataladi.
Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‘tkazuvchanligiga ko‘ra ikki
turi mavjud: p –n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall –
dielektrik – yarim o‘tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo‘lgan zatvori
izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham
ataladilar.
p –n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 2.1. 3 – rasmda n –
kanalli p –n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining
qirqimi ( a ) va uning shartli belgisi ( b ) keltirilgan.
25

a) b)
2.1.3 – rasm.
n –turdagi so ha kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan
kontakt istok (I) ; zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt stok (S) deb ataladi.
Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig‘iga
kuchlanish berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o‘tkazuvchanligini,
natijada kanaldan oqib o‘tayotgan tokni o‘zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga
nisbatan o‘tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo‘llaniladi. Ishchi rejimda u teskari
ulangan bo‘lib kanal bilan p – n o‘tish hosil qiladi.
Kanalning o‘tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi S
l R  , bu
yerda
 - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l - uzunligi, S – kanalning
ko‘ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‘lmaganda kanal uzunligi
bo‘ylab zatvor ostidagi kanalning ko‘ndalang kesim yuzasi bir xil bo‘ladi. Berilgan
qutblanishda zatvor va istok oralig‘iga tashqi kuchlanish berilsa U
ZI p –n o‘tish
teskari yo‘nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi
bo‘ylab kanalning ko‘ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi
ortadi, lekin chiqish toki I
S = 0 bo‘ladi, chunki U
SI =0 (2 8 a - rasm).
Agar istok va stok oralig‘iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal
bo‘ylab istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya’ni kanal orqali
stok toki I
S oqib o‘ta boshlaydi. Kuchlanish manbai U
SI ning ulanishi p –n o‘tish
kengligiga ham ta’sir ko‘rsatadi, chunki o‘tish kuchlanishi kanal uzunligi bo‘ylab
turlicha bo‘ladi. Kanal potensiali uning uzunligi bo‘ylab o‘zgaradi: istok potensiali
nolga teng bo‘lib, stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa U
SI ga teng
bo‘ladi. P –n o‘tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida
ЗИ U ga, stok yaqinida esa
СИ ЗИ U U 
teng bo‘ladi. N atijada o‘tish kengligi stok tomonda katt a roq bo‘lib,
kanal kesimi stok tomoga kamayib boradi ( 2.1. 8 b -rasm).
26

a) b)
(2.1.) 4–rasm.
Shunday qilib, kanal orqali oqib o‘tayotgan tokni U
ZI kuchlanish qiymatini
(kanal kesimini o‘zgartiradi) hamda U
SI kuchlanish qiymatini (tok va kanal
uzunligi bo‘ylab kesimni o‘zgartiradi) boshqarish mumkin. Istok tomonda kanal
kengligi berilgan U
ZI qiymati bilan, stok tomonda esa U
ZI + U
SI yig‘indi qiymati
bilan aniqlanadi. U
SI qiymati qancha katta bo‘lsa, kanalning ponaligi (klinovidnost)
va uning qarshiligi shuncha katta bo‘ladi.
Kanalning ko‘ndalang kesimi nolga teng bo‘ladigan vaqtdagi zatvor
kuchlanishi berkilish kuchlanishi U
ZI.BERK. deb ataladi.. .ТЎЙ СИ ЗИ U U 
kuchlanish berkilish kuchlanishiga U
ZI.BERK ga teng bo‘ladigan
vaqtdagi stok kuchlanishi to‘yinish kuchlanishi U
SI.TO‘Y. deb ataladi.
Bu yerdan
ЗИ БЕРК ЗИ ТЎЙ СИ U U U   . . . .

. .ТЎЙ СИ СИ U U 
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi tekis o‘zgarish rejimi,
. .ТЎЙ СИ СИ U U 
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi esa to‘yinish rejimi deb
ataladi. To‘yinish rejimida U
SI kuchlanish qiymatining ortishiga qaramay I
C
tokining ortishi deyarli to‘xtaydi. Bu holat bir vaqtning o‘zida zatvordagi U
ZI
kuchlanishining ham ortishi bilan tushuntiriladi. Bu vaqtda kanal torayadi va I
C
tokini kamayishiga olib keladi. Natijada I
C dreyfrli o‘zgarmaydi.
Biror uch elektrodli asbob kabi, maydoniy tranzistorlarni uch xil sxemada
ulash mumkin: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ). UI
sxema keng tarqalgan sxema hisoblanadi.
27

2.2 Maydoniy tranzistorni s tati k xarakteristik alari va asosiy
parametrlari
Zatvordagi kuchlanish U
ZI yordamida stok toki I
C ni boshqarish stok – zatvor
xarakteristikasidan aniqlanadi. B u xarakteristika tranzistorning uzatish
xarakteristikasi deb ham ataladi. U
SI =const bo‘lgandagi stok zatvor
xarakteristikalar oilasi I
S =f (U
ZI ) keltirilgan.
Stok – zatvor xarakteristikadan ko‘rinib turibdiki, U
ZI =0 bo‘lganda tranzistor
orqali maksimal tok oqib o‘tadi. U
ZI qiymati ortishi bilan kanal kesimi tusha
boshlaydi va ma’lum U
ZI.BERK. qiymatga yetganda nolga teng bo‘lib qoladi va stok
toki I
S deyarli nolga teng bo‘lib qoladi. Tranzistor berkiladi. U
SI ortishi bilan
xarakteristika tikkalasha boradi, bu holat kanal uzunligining uncha katta bo‘lmagan
kamayishi bilan tushuntiriladi. Stok – zatvor xarakteristika tenglamasi quyidagi
qo‘rinishga ega bo‘ladi:2
. . . ) 1(
БЕРК ЗИ
ЗИ ТЎЙC C U
U I I  
.
2.2 1 b –rasmda maydoniy tranzistorning chiqish (stok) xarakteris-tikalari
keltirilgan. Stok xarakteristika - bu ma’lum U
ZI =const qiymatlaridagi I
S =f (U
SI )
bog‘liqlik. U
SI ortishi bilan I
S deyarli to‘g‘ri chiziqli o‘zgaradi (tekis o‘zgarish
rejimi) va U
SI = U
SI.TO‘Y. qiymatiga yetganda ( b nuqta) I
S ortishi to‘xtaydi.
a) b)
28

MT asosiy parametrlari . Maydoniy tranzistorlarning asosiy
parametrlaridan biri bo‘lib xarakteristika tikligi hisoblanadiЗИ
C
dU
dI S 
(mA/V),
va uni quyidagi ifodadan aniqlash mumkin
) 1(
. max БЕРК ЗИ
ЗИ
U
U S S  
,
bu yerda Smax – U
ZI =0 bo‘lgandagi maksimal tiklik. (2.2. 1) (2.2. 2)
ifodalardan ko‘rinib turibdiki, U
ZI ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor
xarakter i stika tikligi kamayadi.
Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini
ham aniqlash mumkin.
Tranzistorning d ifferensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig‘idagi kanal
qarshiligini ifodalaydi
C
CИ i dI
dU R 
U
ZI =const bo‘lganda .
To‘yinish rejimida (VAX ning tekis qismida) R
i bir necha MOmni tashkil
etadi va U
SI ga bog‘liq emas.
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti tranzistorning kuchaytirish
xususiyatini ifodalaydi:
ЗИ
CИ
dU
dU 
I
S =const bo‘lganda.
Bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga
nisbatan qanchalik ta’sir ko‘rsatishini ifodalaydi. “Manfiy” ishora kuchlanish
o‘zgarishi yo‘nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu
koeffisientni xarakteristikadan aniqlab bo‘lmaganligi sababli, bu kattalikni
quyidagicha hisoblash mumkin:
29

Xulosa
Tranzistor uchta soxadan iborat yarim o‘tkazgichli asbobdir. O’rta qismi
baza deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki kismlariga nisbatan kam va
yupka bo‘ladi. Baza kalinligi L
Б elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga
kadar erkin yugurib utgan masofasi L
д ga nisbatan kichik L
Б < L
Д .bulsa yupka baza
deb yuritiladi. L
Д shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki
kismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Tranzistorning tuzilishi
triodga kiyoslansa, emitter – katodga, baza- turga, kollektor - anodga uxshatiladi.
Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi in’ektsiya, ya’ni
injektsiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan elektron
lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli elektronlar hosil
bulishi orasidagi fark tushuntiriladi. Tranzistor va vakuumli triod ishlash printsipi
jihatidan ham fark kiladi.
Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo’yilmagan
ҳolda o’rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o’zaro
boғliqlikni ifodalaydi. Ҳar bir ulanish uchun statik xarakteristikalar
oilasimalumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo’lib tranzistorning kirish va
chiqish xarakteristikalari ҳisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish
xarakteristikalaridan ҳosil qilinishimumkin.
30

Foydalanilgan adabiyotlar.
1. Colin D. Simpson. Principles о f electronics. Prentice-Hall.2002.
2. V. К . Mehta. R. Mehta. Principles of Electronics. 11th Edition Tata Mgraw
Hill. 2006.
3. Нигматов X . Радиоэлектроника асослари. Тошкент, “Узбекистон” 1994
4. Борздов В.М. Основы радиоэлектроники: Курс лекций. Мн .: БГУ , 2003.
196 с.
5. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. М.: 1987.
6. G'.B.Eshonqulov, D.O.Tolipov. T.Akhmadjanov “Radioelektronika asoslari
fanidan laboratoriya ishlari”. Uslubiy qo ’ llanma . “ Universitet ”- Toshkent ,
2013.-124 b .
7. T.Ahmadjanov. Yo'nalishga kirish: Tebranishlar nazariyasi;
Radioelektronika va Optoelektronika asoslari elementlari//O‘quv qo‘llanma!
«Университет». Toshkent . 2005. - 45 b .
8. Хотунцев Ю.Л., Лобарев А.С. Основы радиоэлектроники М.: A г a р -
2000, с.-288.
9. Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники и связи: Учебник для ВУЗОВ .
M .: Высшая школа. 2001 г. с.-510.
Internet resurslari.
1. www.hozir.org
2. www.ziyonet.com
3. www.wikipedia.com
4. www.orbita.uz
5. www.youtube.com
6. www.arxiv.uz
7. www.optics.arizona.edu/Research/Specialties
31

Купить