Marganes ionlar implantatsiya qilingan kremniy monokristallari sirt morfologiyasini atom kuch mikroskopi yordamida tadqiq qilish - Физика - Дипломные работы

Информация о документе

Цена	12000UZS
Размер	4.5MB
Покупки	0
Дата загрузки	07 Ноябрь 2026
Расширение	pptx
Раздел	Дипломные работы
Предмет	Физика

Marganes ionlar implantatsiya qilingan kremniy monokristallari sirt morfologiyasini atom kuch mikroskopi yordamida tadqiq qilish

Купить

MARGANES IONLAR IMPLANTATSIYA QILINGAN KREMNIY MONOKRISTALLARI
SIRT MORFOLOGIYASINI ATOM KUCH MIKROSKOPI YORDAMIDA TADQIQ QILISH

Atom kuchi mikroskopi

Atom-kuch mikroskopi ( AKM – atom kuch mikroskopi) - nanometr va undan yuqori
o'lchamdagi sirt relyefini aniqlashga qodir yuqori aniqlikdagi skanerlash zondli mikroskopdir.
Skanerli tunnel mikroskopidan farqli o'laroq atom kuch mikroskopi o'tkazuvchan va
o'tkazmaydigan sirtlarni tekshirishi mumkin.
1 - lazer
2 – kantilever
( mikrozond )
3 - namuna
4 – to’rt bo’limli
fotodiod
5 – quvursimon
piezodvigatel
6 – teskari aloqa bloki
7 - piezomodultator

Hozirgi kunda SamDU Muhandislik fizikasi institute laboratoriyasida foydalanilayotgan
AKM ning tashqi ko’rinishi

Tajriba natijalari va ularning tahlili

Ion implantatsiya qilinmagan Si sirtining holati tasvirlari
3D tasvir 2D tasvir

3D tasvir 2D tasvir

40 keV energiyali Mn ionlari bilan implantatsiya qilingan Si monokristall sirtining AKM
yordamida olingan tasvirlari. Tok zichligi 8μA/sm 2
, doza 800μC/sm 2
.
3D tasvir 2D tasvir

3D tasvir 2D tasvir

Xulosa

Shunday qilib ion implantatsiya usulining boshqa usullarga nisbatan afzalligi biror namunaga boshqa bir
begona modda ionlarini istalgan miqdorda kirgazish mumkin ekan. Mn ion implantatsiyasidan keyin Si
monokristalning sirt tuzilishlari va elektr o’tkazuvchanlik xossalari o’zgarar ekan. Implantatsiya jarayonida Si
monokrastallining sirt xossalari ko’p jihatdan ionlar energiyasiga bog’liq ekan.

Tasvirlarni solishtiradigan bo‘lsak, implantatsiya qilingan kremniy plastinkasida donadorlik oshgan, buni Mn
ioni bilan implantatsiya qilish jarayonida Mn ionlarining bir jinsli joylashmagani bilan izohlash mumkin.
Ammo sirt g‘adur-budurligini AKM yordamida olingan ma’lumotlarga tayanib tahlil qilish mumkin. Kremniy
taglikda dastlab o‘rtacha g’adur budurlik 1.5 nm atrofida bo‘lgan ammo Mn ioni implantatsiya qilingandan
so‘ng bu qiymat 26.4 nm ga teng bo‘lmoqda, bu bilan Mn ioni oqimi bilan implantatsiya qilingan sirtning
g‘adur-budurligi taglikka nisbatan ancha yuqori bo‘lganini aytish mumkin. O‘rtacha kvadratik g‘adur-
budurlikning qiymatlarini solishtirib aytish mumkinki kremniy taglik sirtida g‘adur-budurlik Mn ionlarining
kremniy taglikka bir jinsli bo‘lmaganidan hosil bo‘lgan ya’ni sirt donador teksturaga ega bo‘lgan.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO’YXATI

1. Baxadirxanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Arziqulov E.U. Ko'p zaryadli marganets klasterlari bilan kremniydagi foto
o'tkazuvchanlikni infraqizil o'chirish // Yuzaki muhandislik va amaliy elektrokimyo, 2013 yil, jild. 49, №. 4, B. 308–311. [№11,
Springer, IF=0,289]

2.Arziqulov E.U, Ro’zimurodovJ.T. Kvant nuqtali kuchli kompensirlangan kremniy na’munalari Volt-amper va lyuks-amper
tavsifnomalari// SamDU axborotnomasi. 2017. №5, С . 87–92. [01.00.00 №2]

3.Quvandikov O.K., Arziqulov E.U., Ro zimurodov J.T. Marganets bilan implantatsiya qilingan kremniy ionining ferromagnitligi// ʻ
DAN AN O zbekiston. № 5, 2012 yil, 28–31-betlar. [01.00.00 №7]
ʻ

4.Quvandikov O. K., Arzikulov E. U., Kovalyov A. I., Tetelbaum D. I. Yuqori aniqlikdagi rentgen-fotoelektron spektroskopiyasi va
fosfor-implantatsiya qilingan kremniy va silikon dikosidli dioksid va dikonik dioksid kvantlarining elektron tuzilishining xarakterli
elektron-energiya yo'qotish spektroskopiyasi. Texnologiya va elektronika. 2007, jild. 52. №. 9. B. 1054–1057. [№11, Springer,
IF=0,446]

5.Quvandikov O.K., Arziqulov E.U., Ro zimurodov J.T. Marganets bilan implantatsiya qilingan kremniy ionining ferromagnitligi.//
ʻ
Konferensiya materiallari V Baykal xalqaro konferensiyasi “Magnit materiallari. Yangi texnologiyalar” 2012 yil 21–25 sentyabr,
345-346-betlar.

6.Chu W.H., Liu C.P. FIB bilan Ga implantatsiyasi orqali bitta p-tipli ZnO nanosimlarining elektr xususiyatlari // Proceedings IEEE
4th International Nanoelektronika Konferentsiyasi (INEC). 2011. 21–24 iyun. B. 1–2.

7. Cheng Y., Liang Y., Lei M., Hark S.K., Vang N. ZnO nanosimlarining tuzilishi va optik xususiyatlarini Ga ion nurlari bilan
o'zgartirish.// MRS Proceedings, 2009. Jilm 1201. P. 235-237 .

Mavzuga doir ilmiy maqolalar va tezislar

Marganes ionlar implantatsiya qilingan kremniy monokristallari sirt morfologiyasini atom kuch mikroskopi yordamida tadqiq qilish

Купить