Войти Регистрация

Docx

  • Рефераты
  • Дипломные работы
  • Прочее
    • Презентации
    • Рефераты
    • Курсовые работы
    • Дипломные работы
    • Диссертациии
    • Образовательные программы
    • Инфографика
    • Книги
    • Тесты

Информация о документе

Цена 3000UZS
Размер 819.8KB
Покупки 0
Дата загрузки 04 Декабрь 2023
Расширение pptx
Раздел Презентации
Предмет Физика

Продавец

Bohodir Jalolov

Signallarning energiya spektri

Купить
Signallarning energiya spektri. Radiotexnikada ishlatiladigan signallar ancha murakkab tuzilishga ega. Bunday signallarni matematik tarzda tasvirlash qiyin. Shuning uchun signallarni tahlil qilish va ularni radiotexnika zanjirlari orqali o&#39;tkazish tartibini soddalashtirish uchun murakkab signallarni elementar funktsiyalar bilan tavsiflangan ideallashtirilgan matematik modellar to&#39;plamiga parchalanishini ta&#39;minlaydigan usul qo&#39;llaniladi.Davriy signallarning garmonik spektral tahlili trigonometrik funktsiyalarda - sinus va kosinuslarda Furye qatorida kengayishni o&#39;z ichiga oladi. Bu funktsiyalar chiziqli qurilmalar (faqat amplituda va faza o&#39;zgarishi) tomonidan konvertatsiya qilishda o&#39;z shaklini saqlab turadigan garmonik tebranishlarni tavsiflaydi, bu esa radiote Korrelyatsiya funktsiyasi. K orrelyatsiya funktsiyalari to&#39;lqin shakllarini va ularning bir-biriga o&#39;xshashlik darajasini integral miqdoriy baholash uchun ishlatiladi. Korrelyatsiya funksiyalari (ACF). (korrelyatsiya funktsiyasi, CF). Cheklangan energiyaga ega deterministik signallarga nisbatan qo&#39;llanilganda, ACF signal shaklining miqdoriy integral xarakteristikasi bo&#39;lib, t vaqti bilan bir-biriga nisbatan siljigan s (t) signalining ikki nusxasi mahsulotining ajralmas qismidir:B s (t) = s (t) s (t + t) dt. (2.4.1) Ushbu ifodadan kelib chiqadigan bo&#39;lsak, ACF siljish qiymatining t o&#39;zgaruvchan qiymatiga qarab signal va uning nusxasining skalyar mahsulotidir. Shunga ko&#39;ra, ACF energiyaning jismoniy o&#39;lchamiga ega va t = 0 da ACF qiymati to&#39;g&#39;ridan-t Kotelikov teoremasi- ga koʻra uzluksiz analog signalni uzatish talab qilinsa signalning barcha qismini uzatish shart emas balki ma&#39;lum vaqt oralig&#39;idagi tasodifiy qiymatlarini uzatish kifoyadir.Qabul qiluvchi qism mana shu oniy qismlar bo&#39;yicha birlamchi analog signalni qayta tiklab oladi. Rezistorlar va kondansatorlar. Yupqa plenkali rezistorlar – eng ko‘p tarqalgan IMT elementlari hisoblanib, turli materiallardan tayyorlanishi mumkin: metallar va ular qorishmlaridan, metallar aralashmasi va yarim o‘tkazgichlardan, metallar aralashmasi va dielektrik metariallardan. Plenkani kvadrat qarshiligi 200 dan 600 Om/s gacha va sochiolish quvvatini taxminan 10 mVt/mm 2 ta ega bo‘lgan ko‘pincha xrom GOST 5905-67 bo‘yicha ishlatiladi. Bunda u vaqt bo‘yicha yetarli stabillashgan. Yupqa plenkali rezistorlarni himoyalangan dielektrikni zinapoyalari bo‘lmagan silliq yuzada joylashtiriladi. Rezistiv materiallarning asosiy parametrlari – bu rezistiv plenkani kvadratini solishtirma qarshiligi, qarshilikni haroratli koeffitsiyenti va yo‘l qo‘yiladigan sochilish quvvati.Kondensatorlar qoplamla Quvvat kuchaytirgichlar. Quvvat kuchaytirgichlari-kirirsh kuchlanishiga nisbatan chiqish voltajining minimal ozgarishi bilan iloji bo’lsa, kirish kuchini oshirish uchun mo’jallangan qurilmadir. Ya’ni, kuchaytirgichlar yukori quvvqt olish qobilyatiga ega , omma chiqish voltaji o&#39;zgarishi yo&#39;ki o&#39;zgarmasligi mumkin. Kuchaytirgichlarning kuchaytirgich samaradorligi har doim 100% dan past. Shuning uchun quvvatni kuchaytirish bosqichlarida yuqori issiqlik tarqalishi kuzatiladi. Quvvat kuchaytirgichlari yuklar bo’ylab kata quvvat talab qiladigan qurilmalarda qollaniladi. Ko’p bosqichli kuchaytirgichlarda kuchaytirish amplifikatsiyasiyani-ning oxirgi bosqichlarida amalga oshiriladi. Ovaz kuchaytirgichlari va RF kuchaytirgichlari yukni etarli darajada etgazib berish uchun oxirgi bosqi Transistorlarning asosiy parametrlariTranzistorlarni umumiy emitterli (a) umumiy bazali (b) va umumiy kollektorli (v) usulda aniqlanadi. Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda , emitter baza va kollektor qatlamlari yahlit monokristallarda hosil qilingan bo`ladi (4-(a) rasmda). Bu qatlamlardagi erkin tok tashuvchilarning konsentrasiyasi va qatlamlarning qalinligi qat`iy qiymatlarga ega. 4-(b) rasmda bipolyar tranzistorlarni zanjirga ulash sxemasi ko`rsatilgan. . a,b-bipolyar tranzistorlarni elektr zanjiriga ulash. Maydon tranzistorlari. Ma`lumki tranzistorlar konstruktiv tuzilishiga qarab bipolyar va unipolyar tiplarga ajratadi.Maydon tranzistorlar unipolyar tranzistorlar qatoriga kiradi.Maydon tranzistorlarida ishchi tok yarim o`tkazgich uchun asosiy bo`lgan zaryad tashuvchil Proportional-integral mikrosxema. (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? oʻrta (N = 102 — — Maydonli tranzistorlar. Maydonili tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanligikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi.Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‘tkazuvchanligiga ko‘ra ikki turi mavjud: p –n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‘tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega Teskari aloqaning qo’llanilish - eshitganga, o’qiganga yoki ko’rganga tan aks ta&#39;sir yoki ta&#39;sirlanish tayanchi. Bunda mazkur axborotni olgan shaxs shu axborotga bo’lgan munosabatini, tushunganligi yoki to’liq tushunmaganligini, qo’llab-quvvatlashi yoki inkor etishini shu axborotni yuborgan shaxsga bildiradi. Bunday aloqa har ikkala tomonning bir-birini qanchalik tushunganini bilish uchun zarur. Rahbar berilgan topshiriq yoki aytilgan so’z har doim bo’ysinuvchilar tomonidan birdek qabul qilinadi, deb o’ylamasligi kerak. Bunday xato fikrga boruvchi rahbar o’zini real voqelikdan uzoqlashtiradi. Teskari aloqani samarali o’rnatmagan rahbarning boshqaruv faoliyati zaiflashadi va inqirozga yuz tutadi. Shov-shuv axborot Integral mikrosxemalar Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan o’zaro bog’langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar , kondensatorlar va boshqalar) majmui bo’lib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi.IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich , trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yig’ish talab qilinardi. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik . Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi , elektr Doimiy tokkuchaytirgichlarida nol dreyf. Oʻzgaruvchan tok — tok kuchi (kuch lanish) va yoʻnalishi vaqt oʻtishi bilan davriy ravishda oʻzgaradigan elektr toki; keng maʼnoda — vaqt boʻyicha oʻzgaradigan har qanday elektr toki. Oʻzgaruvchan tokni oʻzgartirish, mas, uzoq masofaga uzatish, toʻgʻrilash, chastotasini oʻzgartirish kabi amallarning bajarilishi nisbatan oddiyligi uning afzalligi hisoblanadi. Asosiy koʻrsatkichlari: chastotasi va tok kuchining taʼsir etuvchi qiymati. Sanoatda foydalaniladigan oʻzgaruvchan elektr tarmoqlarida tok kuchi va kuchlanish garmonik tarzda 50 Gs chastota bilan oʻzgaradi. Zanjir uchlaridagi oʻzgaruvchan kuchlanishni elektr styalardagi generatorlar vujudga keltiradi. Tok kuchining taʼsir etuvchi qiymati deganda maʼlum vaqt ichida oʻtkazgichdan Oʻzgaruvchan tok Rezonans kuchaytirgichlar. Rezonans (lot. resono — akssado beraman, javob beraman) — tebranish (elektr, mexanik) konturida majburiy tebranish amplitudasi eng yuqori (maksimum) qiymatga yetganda sodir boʻladigan hodisa. Mac, tizimning barcha parametrlari oʻzgarmas va bu tizim xususiy tebranish chastotasi tashqi kuch davri sinusoidal boʻlsa, yaʼni tizim xususiy tebranish chastotasi tashqi kuch chastotasiga mos kelsa, R. hodisasi roʻy beradi. R.ning foydali va zararli tomonlari bor (Mas, radiotexnikada foydali boʻlsa, inshootlarda zararli). R. fizikada koʻp uchraydi (toʻlqinlar R.si, kuchlanish R.si, toklar R.si). Tebranish konturida tok kuchi faza jihatdan tashqi elektr yurituvchi kuchga teng kelib qolgan hollarda ham R. roʻy beradi. R. aksariyat tabiatda kuzatiladi. Barcha inshootlar, bino Kuchaytirgichni avtomatik boshqarish. Har qanday avtomatik boshqarish sistemasi (ABS) ikkita asosiy qismdan iborat bo&#39;lib, ular boshqarish obyekti va boshqarish qurilmasi deyiladi. Umumiy holda, boshqarish obyekti sifatida tirik organizmlar, insonlar jamoasi, sanoat korxonalari, alohida sexlar, agregatlar va boshqalar bo&#39;lishi mumkin. Ushbu kursda faqat texnik obyektlar ko‘rib chiqiladi va shuning uchun boshqarish obyekti deganda boshqarilishi lozim bo‘lgan jarayonni amalga oshiradigan texnik qurilmalar tushuniladi. Obyekt sifatida soddaroq bo‘lgan boshqarish sistemasi ham ko‘rib chiqilishi mumkin. Obyekt holati, uning ishlash rejimi tashqi muhitning obyektga va boshqarish qurilmasiga ta’sirini hamda obyektning o‘zida yuz beruvchi jarayonni xarakterlovchi qator fizik kattaliklar bi Tunnel diod generatori. Tunnel diodlar ko‘p miqdorda aralashmali yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi (yaratilgan yarim o‘tkazgichlar). Yaratilgan yarim o‘tkazgichlar asosida bajarilgan n-p o‘tishni volt-amperli tavsifi manfiy qarshilikli hududga ega bo‘lib, bunda kuchlanish ko‘payganda oqib o‘tadigan tok kamayadi. Manfiy qarshilikka ega bo‘lgan element, elektr energiyani talab qilmaydi, uni zanjirga beradi, ya’ni zanjirning faol elementi hisoblanadi.Volt-amperli tavsifining tushib ketuvchi qismi bo‘lgani uchun tunnel diodlarni generatorlar va keng diapazon chastotali shu jumladan SVCH (o‘ta yuqori chastotali), elektr tebranishlarni kuchaytirgichlari sifatida va yuqori tezlikli qayta ulashlar sifatida ishlatishga imkon yaratadi.Tunnel diodlar yaratilgan yarim o‘tkazgichlardan, asosan, E’tiboringiz uchun rahmat
Купить
  • Похожие документы

  • Yorug‘lik bosimi
  • Davolashda qo‘llaniladigan tezlatgichlar va ularning turlari
  • Lazerlarning amaliyotdagi qo`llanish sohalari
  • Optik sistemalarning aberratsiyasini o‘rganish
  • Gamma nurlanishlarning modda bilan o‘zaro ta’sirlashuvini o‘rganish

Подтвердить покупку

Да Нет

© Copyright 2019-2026.

  • Инструкция по снятию с баланса
  • Контакты
  • Инструкция использования сайта
  • Инструкция загрузки документов
  • O'zbekcha