Войти Регистрация

Docx

  • Рефераты
  • Дипломные работы
  • Прочее
    • Презентации
    • Рефераты
    • Курсовые работы
    • Дипломные работы
    • Диссертациии
    • Образовательные программы
    • Инфографика
    • Книги
    • Тесты

Информация о документе

Цена 2000UZS
Размер 3.2MB
Покупки 0
Дата загрузки 07 Ноябрь 2026
Расширение docx
Раздел Рефераты
Предмет Физика

Продавец

Bohodir Jalolov

Yarim o‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari

Купить
YARIM     O'TKAZGICHLARNING
ELEKTROFIZIK    XOSSALARI
Reja:
I. Kirish. 
II. Asosiy qism.
1. Yarim o'tkazgichlarning tuzilishi.
2. O'tkazgichlar, yarim o'tkazgichlar, izolyatorlar.
3. Yarimo’tkazgichlarni ele ktrofizik xususiyatlari.
III. Xulosa.
IV. Foydalanilgan adabiyotlar. Kirish
Yarimo'tkazgichlar   o tkazuvchanligi 	ʻ
jihatidan   metall   va   dielektriklar   orasidagi	
 moddalar	 bo lib,	 	ʻ
o z	
 fizik	 xususiyatlarini	 turli	 tashqi	 ta sirlar	 (masalan	 	ʻ ʼ
yoritish,	
 isitish	 va	 hokazo)	 natijasida	 keng	 intervalda	 
o zgartira	
 olish	 xususiyatiga	 ega.	 	ʻ
Yarimo tkazgichlar	
ʻ   elektronika   va   mikroelektronikada   juda	 
keng	
 qo llanilib,	 zamonaviy	 elektr	 jihozlarning	 deyarli	 	ʻ
hammasi
 - kompyuterlardan	 tortib	 to	 uyali	 aloqa	 
telefonlarigacha	
 barchasi	 yarimo tkazgichli	 texnologiyaga	 	ʻ
asoslangan.	
 Eng	 keng	 qo llaniladigan	 yarimo tkazgich	 	ʻ ʻ
modda   kremniy   bo lib,	
 boshqa	 moddalar	 ham	 keng	 	ʻ
qo llaniladi.	
ʻ
Yarimo tkazgichlar	
ʻ   —	 elektr	 tokini	 yaxshi	 o tkazuvchi	 	ʻ
moddalar	
 (o tkazgichlar,	 asosan,	 metallar)	 va	 elektr	 tokini	 	ʻ
amalda	
 o tkazmaydigan	 moddalar	 (dielektriklar)	 orasidagi	 	ʻ
oraliq	
 vaziyatni	 egallaydigan	 moddalar.	 Mendeleyev	 davriy
sistemasida	
 II,	 III,	 IV,	 V	 va	 VI	 guruhlarda	 joylashgan	 
ko pchilik	
 elementlar.	 ularning	 bir	 qator	 birikmalari	 	ʻ
yarimo'tkazgichlar	
 jumlasiga	 kiradi.	 Ya.da	 ham	 
metallardagi	
 kabi	 elektr	 o tkazuvchanlik	 elektronlarning	 	ʻ harakati tufayli	 yuzaga	 keladi.	 Biroq	 elektronlarning	 
harakatlanish	
 sharoitlari	 metallar	 va	 Ya.da	 turlicha	 bo ladi.	 	ʻ
Ya.	
 quyidagi	 asosiy	 xususiyatlarga	 ega:	 Ya.ning	 elektr	 
o tkazuvchanligi	
 temperatura	 ko tarilishi	 bilan	 ortib	 boradi	 	ʻ ʻ
(mas,	
 temperatura	 1 K	 ga	 ortganda	 Ya.ning	 solishtirma	 
o tkazuvchanligi	
 16—17	 marta	 ortadi);	 Ya.ning	 elektr	 	ʻ
o tkazuvchanligida	
 erkin	 elektronlardan	 tashqari	 atom	 bilan	ʻ
bog langan	
 elektronlar	 ham	 ishtirok	 etadi	 (ba zi	 hollarda	 	ʻ ʼ
bog langan	
 elektronlar	 asosiy	 rol	 o ynaydi);	 sof	 Ya.ga	 oz	 	ʻ ʻ
miqdorda	
 qo shilma	 kiritib,	 uning	 o tkazuvchanligini	 	ʻ ʻ
keskin	
 o zgartirish	 mumkin	 (mas,	 0,01%	 qo shilma	 	ʻ ʻ
kiritilganda	
 Ya.	 ning	 o tkazuvchanligi	 10000	 marta	 ortib	 	ʻ
ketadi).
Past	
 tralarda	 Ya.ning	 solishtirma	 qarshiligi	 juda	 katta	 
bo ladi	
 va	 amalda	 ular	 izolyator	 hisoblanadi,	 lekin	 	ʻ
temperatura	
 ortishi	 bilan	 ularda	 zaryad	 tashuvchilarning	 
konsentratsiyasi	
 keskin	 ortadi.	 Mas,	 sof	 kremniyda	 20°	 
trada	
 erkin	 elektronlar	 konsentratsiyasi	 ~1017m~3bo lsa.	 	ʻ
700°	
 da	 1024	 m"3gacha,	 ya ni	 million	 martadan	 ko proq	 	ʼ ʻ
ortadi.	
 Ya.da	 erkin	 elektronlar	 konsentratsiyasining	 traga	 
bunday	
 keskin	 bog likligi	 o tkazuvchanlik	 elektronlari	 	ʻ ʻ issiqlik harakati	 ta sirida	 hosil	 bo lishini	 ko rsatadi.	 	ʼ ʻ ʻ
Yarimo tkazgich	
 kristallda	 atomlar	 valent	 elektronlari	 	ʻ
yordamida	
 o zaro	 bog langan.	 Atomlarning	 issiqlik	 	ʻ ʻ
tebranishlari
 vaqtida	 issiqlik	 energiyasi	 valent	 elektronlar	 
orasida	
 notekis	 taqsimlanadi.	 Ayrim	 elektronlar	 o z	 atomi	 	ʻ
bilan	
 bog lanishni	 uzib,	 kristallda	 erkin	 ko chib	 yurish	 	ʻ ʻ
imkonini
 beradigan	 yetarli	 miqdordagi	 issiqlik	 energiyasiga
ega	
 bo lib	 qolishi	 va	 erkin	 elektronlarga	 aylanishi	 mumkin.	ʻ
Tashqi
 elektr	 maydon	 bo lmaganda	 bu	 erkin	 elektronlar	 	ʻ
tartibsiz	
 harakat	 qiladi.	 Elektr	 maydon	 ta sirida	 esa	 	ʼ
maydonga	
 qarshi	 yo nalishda	 tartiblangan	 harakatga	 kelib,	 	ʻ
Ya.da	
 tok	 hosil	 qiladi.	 Erkin	 elektronlar	 yuzaga	 keltirgan	 
o tkazuvchanlik	
 elektron	 yoki	 ptip	 o tkazuvchanlik	 deb	 	ʻ ʻ
ataladi.
Bog langan	
 elektronning	 o z	 atomini	 "tashlab	 ketishi"	 	ʻ ʻ
atomning	
 elektr	 neytralligini	 buzadi.	 unda	 "ketib	 qolgan"	 
elektron	
 zaryadiga	 miqdoran	 teng	 musbat	 zaryad	 —	 teshik	 
vujudga	
 keladi.	 Tashqi	 elektr	 maydon	 bo lmaganda	 	ʻ
elektronlar	
 ham,	 teshiklar	 ham	 tartibsiz	 harakatlanadi,	 
tashqi	
 maydon	 bo lganda	 esa	 elektronlar	 maydonga	 qarshi,	 	ʻ
teshiklar	
 maydon	 bo ylab	 ko chadi.	 Teshiklarning	 ko chishi	ʻ ʻ ʻ bilan bogliq	 o tkazuvchanlik	 teshikli	 yoki	 rtmp	 	ʻ
o tkazuvchanlik	
 deyiladi.	 Erkin	 elektronlar	 soni	 bilan	 	ʻ
teshiklar	
 soni	 bir-biriga	 tengligi	 tushunarli.	 Aniklanishicha,	 
ularning	
 harakatlanish	 tezligi	 ham	 bir	 xil	 ekan.	 Demak,	 
Ya.dagi	
 tok	 ayni	 vaqtda	 ham	 elektron,	 ham	 teshikli	 
o tkazuvchanlikdan	
 vujudga	 keladi.	 Bunday	 	ʻ
elektronteshikli	
 o tkazuvchanlik	 Ya.ning	 xususiy	 	ʻ
o tkazuvchanligi
 deyiladi.	 Xususiy	 o tkazuvchanlik	 sof	 	ʻ ʻ
Ya.da	
 kuzatiladi.	 Biroq	 tabiatda	 sof	 Ya.	 yo q.	 Ba zi	 	ʻ ʼ
qo shilmalar	
 Ya.ni	 erkin	 elektronlar	 bilan	 boyitsa,	 boshqa	 	ʻ
ba zi	
 qo shilmalar	 teshiklar	 bilan	 boyitadi.	 Ya.da	 yuzaga	 	ʼ ʻ
keladigan	
 bunday	 o tkazuvchanlik	 qo shilmali	 	ʻ ʻ
o tkazuvchanlik	
 deb	 ataladi.	ʻ
Agar	
 asosiy	 Ya.	 atomi	 o rniga	 elementlar	 davriy	 	ʻ
sistemasida	
 undan	 keyingi	 guruhda	 turgan	 element	 atomi	 
kiritilsa,	
 bu	 qo shilma	 atomning	 bitta	 valent	 elektroni	 	ʻ
atomlararo	
 bog lanishda	 ishtirok	 etmaydi	 va	 erkin	 	ʻ
elektronlar	
 safiga	 qo shiladi,	 binobarin,	 itip	 o tkazuvchanlik	ʻ ʻ
ortadi.	
 Va,	 aksincha,	 undan	 oldingi	 o rinda	 turgan	 element	 	ʻ
atomi	
 kiritilsa,	 atomlararo	 to la	 bog lanishda	 1 ta	 elektron	 	ʻ ʻ
yetishmaydi,	
 teshik	 hosil	 bo ladi.	 Bunda	 rtip	 	ʻ o tkazuvchanlik ortadi.	 Qo shimcha	 birinchi	 holda	 donor	 	ʻ ʻ
(elektron	
 beruvchi)	 qo shilma,	 ikkinchi	 holda	 esa	 akseptor	 	ʻ
(elektron	
 oluvchi)	 qo shilma	 deb	 ataladi.	ʻ
Shunday	
 qilib,	 Ya.ning	 elektr	 o tkazuvchanligi	 xususiy	 va	 	ʻ
aralashmali	
 o tkazuvchanliklar	 yig indisidan	 iborat	 bo ladi.	 	ʻ ʻ ʻ
Yuqori	
 tralarda	 xususiy	 o tkazuvchanlik,	 past	 tralarda	 esa	 	ʻ
qo shilmali	
 o tkazuvchanlik	 asosiy	 rol	 o ynaydi.	ʻ ʻ ʻ Yarim o'tkazgichlarning tuzilishi
Misol uchun	 yarim	 o'tkazgichning	 tipik	 vakili	 bo'lgan	 
germaniyni	
 qaraylik.	 Uning	 tartib	 nomeri	 32	 va	 to'rtta	 
elektron	
 qobig'i	 mavjud:	 1-qobiqda	 2 ta;	 2-qobiqda	 8ta,	 3-
qobiqda	
 18	 ta,4-	 qobiqda	 esa	 4 ta	 elektron	 joylashgan.	 
Uchta	
 ichki	 qobiqdagi	 elektronlar	 turg'un	 bo'lib,	 kimyoviy	 
reaksiya-larda	
 ishtirok	 etmaydi.	 Oxirgi	 to'rtinchi	 qobiqdagi	 
elektronlar	
 esa	 atom	 yadrosi	 bilan	 juda	 kuchsiz	 bog'langan.	 
Aynan	
 shu	 elektronlar	 elementning	 boshqa	 atomlarining	 
nechtasi	
 bilan	 kimyoviy	 bog'lanishga	 kira	 olish	 qobiliyatini	 
ko'rsatib,	
 mazkur	 elementning	 valentligini	 aniqlaydi.	 
Shuning	
 uchun	 ham	 oxirgi	 qobiqdagi	 elektronlarga	 tashqi	 
yoki	
 valentli	 elektronlar	 deyiladi.	 Tashqi	 qobig'ida	 to'rtta	 
elektroni	
 mavjud	 bo'lgan	 germaniyning	 valentligi	 to'rtga	 
teng.	
 Mazkur	 atomga	 boshqa	 atomlar	 yaqinlashganida	 
valent	
 elektronlar	 boshqa	 atomning	 valent	 elektronlari	 bilan
oson	
 ta'sirlashadi	 va	 kimyoviy	 bog'lanish	 hosil	 qiladi.	 Atom
qobig'iga	
 ma'lum	 energiya	 berilganda	 atomnig	 ionlashuvi	 
ro'y	
 berishi	 mumkin.	 Aynan	 so'nggi	 qobiqdagi	 elektronni	 
ozod	
 qilish	 uchun	 eng	 kam	 energiya	 taqozo	 qilinadi.	 
Germaniy,	
 kremniy	 va	 yarim	 o'tkazgichlarning	 boshqa	 bir	  qancha vakillari	 kristall	 moddalar	 hisoblanadi.	 Ularning	 
atomlari	
 ma'lum	 qonuniyatlarga	 muvofiq	 joylashgan	 
bo'ladi. O'tkazgichlar, yarim o'tkazgichlar, izolyatorlar. 
  Elektronni	 valent	 zonadan	 o'tkazish	 zonasiga	 o'tkazish	 
uchun	
 tashqaridan	 malum	 ener¬giya	 berish	 kerak.	 Elektron	 
turg'un	
 holatdan	 (to'ldirilgan	 holatdan)	 . erkin	 holatga	 
(o'tkazish	
 zonasiga)	 o'tishda	 yengish	 kerak	 bo'lgan	 man	 
qilingan	
 zonanirtg	 kengligi	 qattiq	 jismlarni	 metallar,	 yarim	 
o'tkazgich-lar	
 va	 izolyatorlarga	 ajratishning	 asosiy	 
mezonlaridan	
 biridir.	 Bunga	 keltirilgan	 sxemalardan	 
osongina	
 ishonch	 hosil	 qilish	 mumkin.	 Zonalarning	 
elektronlar	
 bilan	 to'ldirilganligi	 va	 man	 qilingan	 zonaning	 
kengligiga	
 qarab	 to'rtta	 hoi	 bo'lishi	 mumkin.	 Eng	 yuqori	 
zona	
 elektronlar	 bilan	 qisman	 to'ldi¬rilgan,	 ya'ni	 unda	 bo'sh
sathlar	
 mavjud.	 Bu	 holda	 elektron	 juda	 kam	 energiya	 
olganda	
 ham	 shu	 zonaning	 yuqoriroq	 energetik	 sathiga	 
o'tishi,	
 ya'ni	 erkin	 bo'lib,	 tok	 o'tkazishda	 ishtirok	 etishi	 
mumkin.	
 Demak,	 qattiq	 jismda	 qisman	 to'ldirilgan	 zona	 
mavjud	
 bo'lsa,	 bu	 jism	 elektr	 tokini	 o'tkazadi.	 Aynan	 shu	 
xususiyat	
 metallarga	 xosdir.	 Agar	 valent	 zona	 va	 o'tkazish	 
(erkin)	
 zonasi	 bilan	 qisman	 ustma-ust	 tushsa	 ham,	 qattiq	 
jism	
 elektr	 tokini	 o'tkazuvchi	 bo'ladi.	 Bu	 Mendeleyev	 
elementlar	
 davriy	 sistemasidagi	 II	 guruh	 elementlari	 Be,	  Mg, Ca,	 Zn	 ....larga	 xos	 xususiyatdir.	 Energetik	 sathlari	 
faqat	
 valent	 zona	 va	 o'tkazish	 zonasidan	 iborat	 qattiq	 
jismlar,	
 man	 qilingan	 zonasining	 kengligiga	 qarab	 
dielektriklar	
 va	 yarim	 o'tkazgichlarga	 ajratiladi.	 Agar	 
kristallning	
 man	 qilingan	 zonasining	 kengligi	 bir	 necha	 
elektron-volt	
 bo'lsa,	 issiqlik	 harakati	 elektronni	 valent	 
zonadan	
 o'tkazish	 zonasiga	 sakrata	 olmaydi	 va	 bunday	 
kristallarga	
 dielektriklar	 deyiladi.	 Agar	 man	 qilingan	 zona	 
uncha	
 katta	 bo'lmasa	 (AE~	 1 eV),	 elek¬tronni	 valent	 
zonadan	
 o'tkazish	 zonasiga	 issiqlik	 yoki	 biror	 boshqa	 ta'sir	 
bilan	
 ko'chirish	 mumkin.	 Bunday	 kristallarga	 yarim	 
o'tkazgich-lar	
 deyiladi.	 Masalan,	 germaniy	 uchun	 AE=	 0,72
eV,	
 kremniy	 uchun	 AE=1.11	 eV	 ni	 tashkil	 qiladi.	 Shunday	 
qilib,	
 o'tkazgichlar	 uchun	 man	 qilingan	 zonaning	 keng¬ligi	 
no'lga	
 teng,	 yarim	 o'tkazgichlar	 uchun	 2eV	 dan	 oshmaydi,	 
dielektriklar	
 uchun	 esa	 2eV	 dan	 katta	 bo'ladi. Yarimo’tkazgichlarni elektrofizik xususiyatlari.
     Zamonaviy	 elektronika	 qurilmalari	 yarim	 o‘tkazgichli	 
materiallardan	
 tayyorlanadi.	 Yarim	 o‘tkazichlar   kristall ,	 
amorf	
 va	 suyuq	 bo‘ladi.	 Yarim	 o‘tkazgichli	 texnikada	 
asosan	
 kristall	 yarim	 o‘tkazgichlar	 (10 10  
asosiy	 modda	 
tarkibida	
 bir	 atomdan	 ortiq	 bo‘lmagan	 kiritma	 
monokristallari)	
 qo‘llaniladi.	 Odatda	 yarim	 o‘tkazgichlarga	 
solishtirma	
 elektr	 o‘tkazuvchanligi	 metallar	 va	 dielektriklar	 
oralig‘ida	
 bo‘lgan	 yarim	 o‘tkazgichlar	 kiradi	 (ularning	 
nomi	
 ham	 shundan	 kelib	 chiqadi).	 Xona	 temperaturasida	 
ularning	
 solishtirma	 elektr	 o‘tkazuvchanligi	 10 -
8
dan  
10 5
gacha	
 Sm/m	 (metrga	 Simens)ni	 tashkil	 etadi.	 
Metallarda	
 =10 6
-10 8
  Sm/m,	 dielektriklarda	 esa	 =10 -8
-10 -
13
  Sm/m.	
 Yarim	 o‘tkazgichlarning	 asosiy	 xususiyati	 
shundaki,	
 temperatura	 ortgan	 sari	 ularning	 solishtirma	 
elektr	
 o‘tkazuchanligi	 ham	 ortib	 boradi,	 metallarda	 esa	 
kamayadi.	
 Yarim	 o‘tkazgichlarning	 elektr	 o‘tkazuvchanligi  
yorug‘lik	
 bilan	 nurlantirish	 va	 hatto	 juda	 kichik	 kiritma	 
miqdoriga	
 bog‘liq.	 Yarim	 o‘tkazgichlarning   xossalari 	      qattiq
jism zona nazariyasi   bilan	
 tushuntiriladi. Har bir	 qattiq	 jism	 ko‘p	 sonli	 bir-biri	 bilan	 kuchli	 o‘zaro	 
ta’sirlashayotgan	
 atomlardan	 tarkib	 topgan.	 Shu	 sababli	 bir	 
bo‘lak	
 qattiq	 jism	 tarkibidagi	 atomlar	 majmuasi	 yagona	 
tuzilma	
 deb	 qaraladi.	 Qattiq	 jismda	 atomlar	 bog‘liqligi	 
atomning	
 tashqi	 qobig‘idagi	 elektronlarni	 juft	 bo‘lib	 
birlashishlari	
 (valent	 elektronlar)	 natijasida	 yuzaga	 keladi.	 
Bunday	
 bog‘lanish   kovalent bog‘lanish   deb	 ataladi.
Atomdagi	
 biror	 elektron	 kabi	 valent	 elektron	 energiyasi	 W	 
ham	
 diskret	 yoki	 kvantlangan	 bo‘ladi,	 ya’ni	 
elektron   energetik sath   deb	
 ataluvchi	 biror	 ruxsat	 etilgan	 
energiya	
 qiymatiga	 ega	 bo‘ladi.	 Energetik	 sathlar	 
elektronlar	
 uchun	 ta’qiqlangan	 energiyalar	 bilan	 ajratilgan.	 
Ular   ta’qiqlangan   zonalar        deb	
 ataladi.	 Qattiq	 jismlarda	 
qo‘shni	
 elektronlar	 bir-biriga	 juda	 yaqin	 joylashganligi	 
uchun,	
 energetik	 sathlarni	 siljishi	 va	 ajralishiga	 olib	 keladi	 
va	
 natijada   ruxsat   etilgan energetik zonalar   yuzaga	 keladi.
Energetik	
 zonada	 ruxsat	 etilgan	 sathlar	 soni	 kristaldagi	 
atomlar	
 soniga	 teng	 bo‘ladi.	 Ruxsat	 etilgan	 zonalar	 kengligi
odatda	
 bir	 necha	 elektron	 – voltga	 teng	 (elektron	 – volt	 – bu
1V	
 ga	 teng	 bo‘lgan	 potensiallar	 farqini	 yengib	 o‘tgan	 
elektronning	
 olgan	 energiyasi).	 Ruxsat	 etilgan	 zonadagi	  minimal energiya	 sathi   tubi   (Wc),	 maksimal	 energiya	 
esa   shipi   (Wv)	
 deb	 ataladi.
1-rasmda	
 yarim	 o‘tkazgichning	 zona	 diagrammasi	 
keltirilgan.	
 Ta’qiqlangan	 zona	 kengligi	   Wt	 yarim	 
o‘tkazgichning	
 asosiy	 parametri	 bo‘lib	 hisoblanadi.
1-rasm.
1	
 – rasm.	 Yarim	 o‘tkazgichning   zona	 diagrammasi
Yarimo‘tkazgichlarda	
 taqiqlangan	 zona	 kengligi	 deb	 
ataluvchi   Wg   parametr	
 eng	 muhim	 parametr	 
hisoblanadi.Temperatura	
 ortishi	 bilan	 taqiqlangan	 zona	 
kengligi	
 kamayib	 boradi.
Elektronikada	
 keng	 qo‘llaniladigan	 yarim	 o‘tkazgichlarning
ta’qiqlangan	
 zona	 kengliklari	   Wt	 (eV)	 quyidagiga	 teng:	  germaniy uchun	 – 0,67,	 kremniy	 uchun	 – 1,12	 va	 galliy	 
arsenidi	
 uchun	 -1,38.
Dielektriklarda
 ta’qiqlangan	 zona	 kengligi	   W т 2	 eV,	 
metallarda	
 esa	 ruxsat	 etilgan	 zonalar	 bir	 – biriga	 kirib	 
ketgan	
 bo‘ladi,	 ya’ni	 mavjud	 emas.
Yuqoridagi	
 ruxsat	 etilgan	 zona   o‘tkazuvchanlik zonasi   deb
ataladi,	
 ya’ni	 mos	 energiyaga	 ega	 bo‘lgan   elektronlar ,	 
tashqi	
 elektr	 maydoni	 ta’sirida	 yarim	 o‘tkazgich	 hajmida	 
harakatlanishlari	
 mumkin.	 Bunda	 ular	 elektr	 
o‘tkazuvchanlik	
 yuzaga	 keltiradilar.	 O‘tkazuvchanlik	 
zonasidagi	
 biror	 energiyaga	 mos	 keladigan	 
elektronlar   o‘tkazuvchanlik elektronlari   yoki   erkin   zaryad
tashuvchilar        deb	
 ataladilar.	 Quyidagi	 ruxsat	 etilgan	 
zona   valent zona   deb	
 ataladi.
Absolyut	
 nol	 temperaturada	 (0	 K)	 yarim	 o‘tkazgichning	 
valent	
 zonasidagi	 barcha	 sathlar	 elektronlar	 bilan	 to‘lgan,	 
o‘tkazuvchanlik	
 zonasidagi	 sathlar	 esa	 elektronlardan	 xoli	 
bo‘ladi.	
 Absolyut	 noldan	 farqli	 temperaturalarda	 
yarimo‘tkazgichda	
 elektron	 – kovak	 juftliklarining	 
generatsiya	
 va	 rekombinatsiyasi	 hamda	 kiritmalar	 
atomlarining	
 ionlashuvi	 va	 neytrallashuvi	 sodir	 bo‘ladi.	  Bunda elektronlar   W   energiyali	 u yoki	 bu	 energetik	 
sathlarni	
 egallaydilar.	 Muvozanat	 holatda	 ( T =const)	 
o‘tkazuvchanlik	
 elektronlari	 va	 kovaklarining	 o‘zgarmas	 
konsentratsiyalari	
 yuzaga	 keladi.  
2-rasm.
2-rasmda	
 metall,	 yarimo‘tkazgich	 va	 dielektrikning	 T=	 0 
Kdagi	
 zona	 diagrammalari	 keltirilgan.
Metallarda	
 o‘tkazuvchanlik	 zonasi	 valent	 zonasiga	 kirishib	 
ketgan	
 bo‘ladi.	 Dielektriklarda	 esa	 ta’qiqlangan	 zona	 
kengligi	
 bir	 necha	 elektron-	 voltni	 (elektron	 – volt,	 bu  
elektron	
 1 V	 potensiallar	 farqidan	 olgan	 energiyasi)	 tashkil	 
etadi.	
 Eng	 keng	 qo‘llaniladigan	 yarim	 o‘tkazgichlarning	 
taqiqlangan	
 zona	 kengligi	 0,5(2,5	 eV	 ni	 tashkil	 etadi.
Energetik	
 sathlarning	 egallanganlik	 xolati	 kristallarning	 
elektr	
 o‘tkazuvchanligida	 namoyon	 bo‘ladi.	 Tashqi	 man’ba	  hisobiga kristallda	 elektr	 tokni	 yuzaga	 keltirish	 uchun	 elektr
maydon	
 hosil	 qilinadi.	 Bu	 maydon	 elektronlarni	 tezlatadi	 va
ularni	
 energiyasini	 oshiradi.	 Zona	 diagrammasi	 tilida	 bu	 
jarayon   elektronlarni qo‘zg‘atilishi   deyiladi.	
 Bunda	 
elektronlar	
 dastlabki	 egallab	 turgan	 energetik	 sathidan	 
zonaning	
 boshqa	 yuqoriroq	 sathiga	 ko‘chadi.	 Elektronlar	 
bilan	
 butkul	 to‘lgan	 zonadagi	 elektronlar	 o‘z	 energiyalarini	 
o‘zgartira	
 olmaydilar	 va	 shu	 sababli	 elektr	 toki	 hosil	 
qilishda	
 ishtirok	 eta	 olmaydilar.	 Demak,	 T=0	 K	 da	 yarim	 
o‘tkazgichning	
 elektr	 o‘tkazuvchanligi	 nolga	 teng
Yarimo‘tkazgichda	
 anion	 va	 kationni	 adsorblash
Ko‘pincha,	
 kimyoviy	 adsorblashda	 adsorblanadigan	 
molekula	
 va	 yarimo'tkazgich	 orasida	 zaryad	 tashuvchilar	 
almashinuvi	
 yuz	 beradi,	 deb	 hisoblanadi.	 Bunda	 sirt	 
zaryadlanadi.	
 Agar	 Nm	 adsorbent	 sirtining	 1 sm2	 yuziga	 
adsorblanadigan	
 molekulalar	 soni	 teng	 bo‘lsa,	 sirtdagi
zaryad	
 zichligi	 eNm	 bo‘ladi.
Xemosorblash	
 vaqtida	 elektron	 qattiq	 jismdan	 adsorblangan
atomga	
 o ‘tsa,	 unda	 manfiy	 ion	 adsorblanadi.	 Buni	 anion	 
adsorblash	
 deyiladi	 va	 u n-tur	 yarimo‘tkazgichda	 sodir	 
bo'ladi.	
 Anion	 adsorblashda	 sirtning	 manfiy	 zaryadlanishi	  elektron poten-	 i.il	 cnergiyasining	 hajmdagiga	 nisbatan	 
sirtda	
 yuqori	 bo‘lishiga	 olib	 keladi.	 Binobarin,	 elektron	 
chiqishi	
 uchun	 cp	 ga	 qo'shimcha	  ф '	 potensial	 lo'aiq	 vujudga
keladi	
 (3a-rasm).	 Adsorblash	 davomida	  ф '	 kristall	 va	 
adsorbatning	
 Fermi	 sathlari	 Irnglashguncha	 ortib	 boradi.	 
Bunda	
 muvozanat	 o‘rnashadi.	  ф '	 qo‘-	 '.liimcha	 to‘siq	 
balandligini	
 adsorblangan	 atomlar	 soni	 Nm	 aniqlaydi.
Xulosa	
 shuki,	 anion	 adsorblanishi	 natijasida	 elektronning	 
yarim-	
 n'tknzgichdan	 chiqish	 ishi	  ф '	 miqdorga	 ortadi,	 
elektron	
 (w-tur)ning	 yiiiimo‘tkazgieh	 o ‘tkazuvchanligi	 
kamayadi	
 (3b-rasm).	 
3a-rasm.
 	
 3b-rasm. Kation adsorblash	 p-tur	 yarimo‘tkazgichda	 yuz	 beradi.	 
Agar	
 yarim-	 o ‘tkazgichdan	 chiqish	 ishi	 adsorblangan	 
atomning	
 ionlanish	 energiya-	 sidan	 katta	 bo'lganda	 kation	 
adsorblanish	
 kuzatiladi.	 Bu	 holda	 kristall	 sirtida	 musbat	 ion	 
adsorblanadi.	
 Adsorblangan	 atomlar	 soni	 orta	 borgan	 sari	 
sirt	
 yaqinida	 sohalar	 pastga	 egiladi,	 7-tur	 yarimo‘tkaz-
gichdan	
 chiqishi	 va	 uning	 o‘tkazuvchanligi	 kamayadi.	
N	m
=	 [	ɛ
2πe	n0φ']
12
Puasson	
 tenglamasini	 yechib,	 bog‘lanish	 olingan.	 Shunga	 
ko‘ra,	
 tajribadan	 cp'	 ni	 aniqlab,	 Nm	 ni	 topib	 olish	 mumkin.	 
Nm	
 ning	 3 • 1012	 sm-	 2 bo‘lishi	 hisoblab	 topilgan.
Asosiy	
 atomlar	 sirtdagi	 zichligi	 sm-2	 deb	 hisoblansa,	 Nm	 
uning	
 1%	 dan	 kamrog‘ini	 tashkil	 qiladi.	 Boshqa	 usullar	 
yordamida	
 ham	 Nm	 qiymati	 aniqlanadi.	 Ular	  
uqoridagisidan	
 ancha	 katta	 bo‘lishi	 ma’lum. FOYDALANILGAN   ADABIYOTLAR
1.   A. Teshaboyev,	 S.	 Zaynobidinov,	 E.	 A.	 Musayev	 
”Yarimotkazgichlar	
 va	 yarimotkazgichli	 asboblar	 
texnologiyasi”;
2. X.Aripov,	
 A.Abdullayev	 - “Elektronika”;
3.  	
H.Nig’matov	 –	 “Radioelektronika”;
4.  	
A.Eshbekov	 –	 “Radioelektronika	 asoslari”;
5. Abdullayev	
 G.	 Fizika.
6. Savelev	
 I.V.	 «Umumiy	 fizika	 kursi»
7. Savelev	
 I.V.	 «Umumiy	 fizika	 kursi»
8. Rasulmuhamedov	
 A.G,	 Kamolov	 J.,	 Izbosarov	 
B.F.	
 «Umumiy	 fizika	 kursi»
9. Nazarov	
 O‘.Q.	 Umumiy	 fizika	 kursi.
10. Sivuxin	
 D.V.	 “Umumiy	 fizika	 kursi”.
11. www.ziyonet.uz

Yarim o‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari

Купить
  • Похожие документы

  • Atom energetikasidan foydalanishda yadro yoqilg‘ilari. tabiiy uran va toriy izotoplari. uran izotoplarini sanoat usulida olish va boyitish. plutoniy izotoplari yadro yoqilg‘isi sifatida
  • Astrofizik relyativistik obyektlar
  • Bosh soxasining anatomo-topografik tuzilishi. burun, shox va miyada o‘tkaziladigan operasiyalar
  • Biofizika fani haqida
  • Deformasiyalanuvchi qattiq jism mexanikasi masalalarining qo‘yilishi. erkin va majburiy tebranishlar

Подтвердить покупку

Да Нет

© Copyright 2019-2026.

  • Инструкция по снятию с баланса
  • Контакты
  • Инструкция использования сайта
  • Инструкция загрузки документов
  • O'zbekcha