Nanozarrachalar - Педагогика - Курсовые работы

Информация о документе

Цена	10000UZS
Размер	496.5KB
Покупки	0
Дата загрузки	06 Ноябрь 2026
Расширение	docx
Раздел	Курсовые работы
Предмет	Педагогика

Nanozarrachalar

Купить

SAMARQAND DAVLAT UNIVERSETITUTI - 2022
SAMARQAND DAVLAT UNIVERSETITUTI KIMYO FAKULTETI MATERIALSHUNOSLIK
VA YANGI MATERIALLAR TEXNOLOGIYASI 410-GURUH TALABASI ESHPULATOV
JAVOXIR NANOKIMYO ASOSLARI FANIDAN BAJARGAN
KURS ISHI
MAVZU: NANOZARRACHALAR
TUZUVCHI:_______________________________
O’QITUVCHI:________________________________
SANARQAND-2022

MAVZU: NANOZARRACHALAR
REJA.
KIRISH
1.1. Nanozarrachalarni rivojlanish bosqichlari
ASOSIY QISM
2.1.Nanozarrachalar
va zamonaviy texnika.
2.2.Nanozarralar.
2.3.Uglerod
nanotrubkalari.
2.4.Oltin
nanozarrachalari.
2.5.
IIa vaIIb qadam nanozarraning kattaligi bo’yicha.
2.6.
Nanorobotlar davri
XULOSA.
FOYDALANILADIGAN
ADABIYOTLAR.

KIRISH
1.1 Nanoelektronikani rivojlanish bosqichlari
      Nanotehnalogiya – bu moddalar bilan ishlashdan alohida atomlarni
boshqarishga o ’ tishi :
nanoo ’ lchamda moddani ko ’ plab mehanik , termodinamik ,
magnit va elektrik harakteriskalari holati o ’ zgarib ketadi .
Masalan , oltin
nanozarralari hajmiy oltin zarralaridan katalitik ,
feromagnitik , to ’ g ’ rilovchi optik
hossalari ,
o ’ ziyig ’ ilishga qodirligi bilan farq qiladi .

     Ular yorug ’ likni yahshi yutadi va sochadi , zaharsiz , kimyoviy stabil ,
biyomoskeluchi .
Ularning intensiv bo ’ yashda ( tovlanish ) hozirda dedektirlash
uchun ,
vizualiyashgan va biyotibbiyot obektlar miqdorni aniqlashda
foydalanilmoqda
[1-7]. Oltin nanozarralari butun boshli asboblar diyagnostika
vositalardan tortib har
   hil    turdagi    sensorlar , optik tolali va kampyuter
nanosxemalarini [8-9]
yaratishda itiqbollidir . Ko ’ rsatilgan hususiyatlar tufayli oltin
nanozarralari asosiy metodlari va tushunchalari bilan osson tushunarli universal
obekt modili nanofanni tanishtirish uchun qulay rol o ’ ynashi mumkin ,

      Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning
rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo ’ lgan mikroelektronika
hamda endigina paydo bo ’ layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat
ko ’ rsatadigan malakali mutaxacsislarni tayyorlash bilan uzviy bog ’ liqdir .

     Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo ’ lmish integral mikrosxemalar ,
mikroprostessorlar ,
o ’ ta yuqori chastotali detektorlar , quyosh elementlari , lazerlar ,
elektron hisoblash mashinalar va o ’ ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob
elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo ’ lgan yupqa va o ’ ta yupqa
ko ’ p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi .
Shu boisdan ham
keyingi
yillarda yupqa va o’ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va
fizikasiga
bo’lgan e’tibor keskin ortib ketdi.

Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o’rganish o’tgan asrning 70
yillardan
boshlab qo’llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.

Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan
o’nlab
mikrongacha bo’lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda
ham
muvaffaqiyatli qo’llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa
(d  10 2
 10 3
nm)
va o’ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy
molekulyar
nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitakstiya(QFE), ionlar
implatastiyasi
va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish
mumkin.
Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o’ta yuqori
vakuum
sharoitda olib borilishi, o’ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va
atom(molekula)
manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning
mukammalligi(yuqori
darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi)
bilan
eski (tradistion) usullaridan tubdan farq qiladi.

2.1. Nanoelektronika va zamonaviy texnika .

      Hozirgi paytda nanoelektronika rivojlanmoqda, ya’ni elektron asbobsoslikda
qalinliklari
o’nlab nanometr (1 nm = 10 -9
m) bo’lgan plyonkalarni ishlatish ustida
ishlar
olib borilmoqda. Bunday plyonkalar ustma-ust, qatlama-qatlam qilib
joylashtirilib
aktiv va passiv elementlar hosil qilishda ishlatilishi mumkin. Fan va
texnika
rivojlanib uch o’lchamli tizimlar hosil qilinmoqda. Bunday tizimlarda 1
sm 3
hajmda
yuz minglab-millionlab yupqa plyonkali elementlarni joylashtirish
mumkin.
Ular asosida hosil qilingan integral sxemalar katta va o’ta kattaintegral
mikrosxemalar debataladi.

     Demak, kerakli maqsadlarda ishlatilishi mumkin bo’lgan yupqa qatlamlarni
hosil
qilish , ularning tarkibini, kristall va elektron tuzilishini, fizik va kimyoviy
xususiyatlarini
o’rganish fanning ahamiyatini belgilasa, olingan yupqa
plyonkalarning
asbob sifatida ishlatilishi uning xalq ho’jaligida va texnikada
qo’llanilishini
aks ettiradi.
2.2.Nanozarralar.

     Sistemada atom yoki molekulyar tartibda o’zgarishlar ro’y berganda
materialning
xususiyatlari aniq ko’rinadi. Uglerod qattiq fazada bir qancha turli
modifikasiyalarni
paydo qilishi mumkin (olmosdan boshlab grafitgacha). Ikki
materialning
fizik xususiyatlari o’rtasida farqlar turli ko’rinishdagi atomlarni
kristall
ko’rinish holatidan tartibga keltirilishi bilan izohlanadi. Toza uglevod
fullerene
deb nomlanuvchi yana bir ko’rinishga, shaklga ega bo’lishi mumkin
ekan.

      С
60 fulleren molekulaning tarkibi 60 dan ziyod atomlardan tashkil topgan,
beshburchak,
oltiburchak shaklidagi ko’rinishlar futbol to’pini (12 ta
beshburchaklar
va 20 ta oltiburchaklar) eslatadi.

     Ma'lumki, klassik mexanika moddiy zarralarning aniq chiziqlar, ya'ni
traektoriyalar
bo‘ylab harakat qilishini miqdoriy qonuniyatlar yordamida

o‘rganadi. Bunda zarraning boshlang‘ich holatini ifodalovchi shartlar ma'lum
bo‘lsa,
kelgusida uning qanday bo‘lishi ham aniqlanadi. Oqibat, fanda chuqur iz
qoldiradigan
va olamning mexanik manzarasini yaratish (barcha hodisalarni
mexanika
qonunlari asosida tushuntirish)ga intilish paydo bo‘ldi.

     Afsuski, olamni faqat mexanika qonunlari asosida butunlay tushuntirishning
iloji
yo‘q. Shu bois, bunday qarashlar o‘zini oqlamadi desak, xato bo‘lmaydi. XIX
asr
oxiri XX asr boshlarida matematika sohasida erishilgan yutuqlar (differentsial
hisob,
Minkovskiy geometriyasi) tufayli mexanik qonunlarning yangi ko‘rinishlari
paydo
bo‘ldi. To‘lqin teng lamalarining otasi Ervin Shryodinger tomonidan
yaratilgan
mikrozar ra larning harakat (Shryodinger) teng lamalari klassik
tasavvurlarga
sig‘maydigan natijalarga olib keldi. Masalan, energiyaning
kvantlanishi
(klassik mexanikada esa energiya uzluksiz bo‘ladi). O‘sha davrda bu
tenglamalar
to‘g‘risida fikr yuritishga jazm qiladigan inson yo‘q edi. Sababi, bunga
ma'lum
ma'noda «fandagi shakkoklik» deb ham qaralgan.

     Kvant fizikasining asoschilaridan biri M. Plank 1879 yili Myunxenda disser -
tatsiyasini
himoya qilgandan keyin ustozi Filip fon-Jolliga nazariy fizika bilan
shug‘ullanish
niya ti borligini aytadi. Ustoz esa o‘z nav batida nazariy fizika
poyoniga
yetgani, faqat ba'zi xususiy hollar, boshlang‘ich va chegaraviy shartlarni
o‘zgartirib
differentsial tenglama larning echimini topish qolgani, umuman, bu
«istiqbolsiz
ish» bilan shug‘ullanish befoydaligini uqtiradi.

     Shunga qaramay, Plank nazariy fizika bilan shug‘ullanishni davom ettirib,
1900
yili elektromagnit nurlanishning diskret ekanligini kashf qildi. 1905 yilda
Eynshteyn
tomonidan elektromagnit maydonning energiyasi diskret strukturaga
egaligi,
undagi eng kichik zarra fotonni aniqlaydi, keyinchalik atomning kvant
nazariyasi
va kvant mexanikaga asos soladi. U davrda kvant mexanikasi tu -
shunchalarining
ilm ahli tomonidan qabul qilinishi juda qiyin kechdi. Boisi,
birinchidan,
kichik zarralarning kichik o‘lchamlarda harakat traektoriyasi degan
tushunchaning
yo‘qligi, ikkinchidan, Veyner Geyzenberg tomonidan kiritilgan

noaniqlik printsipi edi. Unga ko‘ra, kichik o‘lchamlarda zarrachaning impulsi va
koordinatasi
(energiya yoki vaqt)ni bir vaqtda katta aniqlikda o‘lchab bo‘lmaydi.

Nobel mukofotining laureati Richard Feynman tomonidan yaratilgan kvant
mexanika
borasida ko‘pchilik bu murakkab formulalar to‘plamidir, degan fikrda.
Olim
etuk mutaxassis sifatida kvant mexanikasining yuksak istiqbolini ko‘ra
bilgan.
Uning ta'kidlashicha: «Insonlar kelgusida alohida atomlarni boshqarishni
o‘rganib
olib, xohlagan narsalarini yaratishlari (sintez qilishlari) mumkin».
Sohaning
keyingi rivoji jism zarralari harakatini o‘lchamning kvantlanishi
masalalariga
olib keldi. Bunda erkin zarraning harakatini biror-bir o‘lcham yoki
yo‘nalish
bo‘yicha chegaralasak, ya'ni kvantlasak, natijada uning harakat qonunlari
erkin
zarranikidan butunlay farq qiladi. Kvantlashni davom ettirib, zarraning
harakatini
ikki o‘lcham bo‘yicha (bir o‘lchamli tuzilmalar), so‘ngra uni uchala
o‘lcham
bo‘yicha ham chegaralasak (nol o‘lchamli tuzilmalar), butunlay yangi
hodisalar
va qonuniyatlar namoyon bo‘lar ekan. Xususan, 1987 yili ikki o‘lchamli
elektronlar
gazida kvant va kasrli kvant Xoll effektlarining kashf etilishi past
o‘lchamli
tuzilmalarga qiziqishni kuchaytirdi. Ikki o‘lchamli tuzilmalarda
yorug‘likning
katta miqdorda sochilishi va yutilishi, yupqa pardalarda ulkan
magnit
qarshiliklar, uglerod asosidagi kvant o‘lchamli yirik molekulalar,
fullurenlarning
kashf etilishi va ularning amaliyotda ishla tilish istiqbollari - bu
sohadagi
izlanishlarga katta turtki berdi.
O‘lchamli
kvantlanishni yarim o‘t kazgichlarda namoyon qilish yuqori texno -
logiyalar
(molekulyar nurli epitaktsiya) yordamida biror taglik ustida nafaqat
kristolografik
tuzilishi, balki kimyoviy tarkibi ham bir-biridan farq qiladigan o‘ta
yupqa
qatlamlar o‘stirish orqali amalga oshirildi. Bu sohadagi tadqiqot ishlari
o‘tgan
asrning 70-yillaridan boshlandi. E'tiborlisi, asosan uchlangan birikmalar
asosida
Alx Ga1-x As ikkilangan gete roo‘tishlar hosil qilish ustida tadqiqotlar olib
borildi
va natijada 2003 yili nemis olimi Bimberg va rus olimi J.Alfyorov Nobel
mukofotiga
sazovor bo‘lishdi. Hozir yarim o‘tkazgichlardagi past o‘lchamli
strukturalar
quyidagilarga bo‘linadi:

- kvant nuqtalar (KN) - bu strukturalarning o‘lchamlari mavjud uch yo‘nalish
bo‘yicha
qator atomlar orasidagi masofa tartibida bo‘ladi (KNlarni ba'zan sun'iy
atomlar
deb ham atashadi). Masshtabiga bog‘liq ravishda struktura nol o‘lcham
(0D)
yoki uch o‘lchamli (3D) hisoblanadi. Bu erda D-dimention - o‘lcham, massiv,
o‘lchov,
kattalik, hajm so‘zlarining birinchi harfi bo‘lib, uning oldidagi raqam esa
tuzilma
geometrik o‘lchami tartibini bildiradi;
-
kvant simlar (KS) yoki kvant iplar (KI) - bunda strukturalar o‘lchamlari ikki
yo‘nalish
bo‘yicha bir necha atomlar orasidagi masofaga teng bo‘ladi, uchinchi
yo‘nalish
bo‘ylab esa o‘lcham makroskopik qiymatga ega bo‘ladi (1D);
-
kvant devorlar (KD), boshqacha aytganda, kvant chuqurliklar (KCh) -
strukturalarning
o‘lchamlari bir yo‘nalish bo‘yicha qator atom oralig‘idagi masofa
tartibida
bo‘ladi, qolgan ikki yo‘nalish bo‘yicha esa o‘lcham makroskopik
qiymatga
ega bo‘ladi (2D).
2.3.Uglerod nanotrubkalari.

С
60 molekulasining tuzilishi
С
60 molekulasidan tashkil topgan kristallning tuzilishi
Bu nomning kelib chiqishi, qachonlardir mashhur arxitektor Richard Bukministr
Fuller
shunday shakldagi molekulalarning borligi haqida bilmagan holda binolar
gumbazlarini
yaratish uchun tegishli poliedrik qurilmalardan foydalanganligi bilan
bog’liq.
Juda ko’plab boshqa, ancha yirik bo’lgan fullerenlar mavjud ( С 70, С 82,
С 84,
…, С 240…), ancha murakkab ko’rinishdagi fullerenlar esa nanotrubkalar
degan
nomni olgan. Bugun ular haqida ma’lumotlar banki fullerenlarning 10 000
oshiq
ko’rinishlari bo’lganligini ko’rsatadi.
Quyidagi
rasmlarda nanotrubralarni tuzilishi keltirilgan.

2.4.Oltin nanozarrachalari.
Oltin nanozarralarini sintezi. Oltin nanozarralarini kimyoviy sintez qilish uchun
“namlash
usulli”ning avzalligi oksidlanish-qaytalanish reyaksiyasi qo’llaniladi
Au 3+
+qaytalanish
→Au 0
 n Au 0
(nanooltin) (1)
I
bosqichda bu reyaksiya oksidlanish qaytalanishga mos keladi.Odatda kirishma
modda
sifatida tetraxloraur kisllatasi – HAuCl
4 nH
2 O qo’llaniladi. (tiklovchi)
Qaytalanuvchi
har hil reagentlar: vodarod va vodarodli bog’lar (masalan,
tetragidroboratlar), fosfor
xloristoe olova , sitrat natriya, gidrozin, spirtlar,
etilenglikol,
kraxmal, glyukoza, askorbinovaya kislota va boshqalar boladi.
(tiklovchi)
Qaytalan stabillovchi organik modda ishtrokida o’tkaziladi – ligand,
nanozarralarni
ajrata oluvchi xususiyatlari II bosqich qadamlarni belgilash kerak:
nAu 0

[Au 0
]
n + mL  [Au 0
]
n L
m (2).
2.5. IIa vaIIb qadam nanozarraning kattaligi bo’yicha.
IIa qadam nanozarraning kattaligi bo’yicha. Bu
metodning farqli tarafi
shundaki,
bunda sitrat-onion bir vaqitning o’zida muvozanatlovchi va tiklovchi
vosita
sifatida o’zini namoyon qiladi, shuning uchun bu ionning konsentratsiyasi
kritik
ro’l o’ynayd: uning o’zgarishi bir vaqitning o’zida ham muvozanat tezligi va
zarraning
o’sish prosesiga ta’sir qiladi. Bundan tashqari reyaksiya natijasida

aralashma sitrat-onion okislenyasi – 1.3 otsetonkarbon va itokon kislatalari paydo
bo’ladi.
H
3 C
6 H
5 O
7 +
HAuCl
4  Au + CO
2 + H
2 C
5 H
2 O
4 + H
2 C
5 H
2 O
4 +HCl,
H
3 C
6 H
5 O
7 –
(HOOC)-CH
2 -C(OH)(COOH)-CH
2 -(SOOH) – limon kislotasi
H
2 C
5 H
2 O
4 –
H
2 C = C(SOON) –CH
2 COOH – itokon kislotasi
H
2 C
5 H
2 O
4 –
H
2 C = C(SOON) –CH
2 COOH – 1.3 – otsetonkorbon kislotasi

Ushbu kislotalarning aralashmada mavjudligi yana qo’shimcha tozalash
zaruratini
keltirib chiqarishi mumkin. Sintez jarayonida reyaksiya aralashma rangi
o’zgaradi.
Birinchidan ionning AuCl
4 sust sarg’ish rangi yo’qoladi, va aralashma
to’q
ko’k ranga kiradi, keyinchalik binafsha va ohirida qizg’ish ranga.

Aralashma rangining o’zgarishi sistemaning strukturaviy o’zgarishi oqibatidir.
Electron
mikrasko’piya metodidan shuni ko’rish mumkunki sitrat qo’shilgandan
so’ng
tusga kirgan aralashma o’zida 3-5 nm duyametrda oltin nanoklasterlarini
tashkil
etadi. (74a-rasm)[10]. Toq ko’k aralashmada 5 nm diyametrli nanosimlarni
murakkab
strukturasi paydo bo’ladi(74b-rasm). Yo’q binafsha ranga kirgan
jarayonda
nanosimlarning asosiy nuqtasi yoyilishi natijasida uncha katta
bo’lmagan
segmentlar paydo bo’ladi(74c-rasm). Qachon aralashma (ribino)
qizgish
ranga kirganda oltin nanosferalari paydo bo’ladi(74f-rasm).
Birlamchi
nanoklasterlar singari o’zi yig’iluvchi chiziqli nanozanjir tashkil
qiladimi?Eksperementlar
hulosasiga ko’ra birlamchi nanoklasterlar geyometriyasi
kesishgan
oktoedrik ko’rinishida bo’lib aniq yupqa chegaralariga egadir
[11].Shunday
gepoteza mavjudki, chiziqli ko’rinishga ushbu nanozarralarning
chegaralari
qo’shilishi natijasida vujudga keladi oktoedrlarning burchakli tashqi
ko’rinishi
chegaralarning tomomila qo’shilishini oldini oladi.Ushbu cheklanish
chiziqli
strukturaning vujudga kelishining asosidir.

Elektronmikraskop yordamida olingan oltin nanozarralaring har hil bosqichlarda olinishi.
Ikkita yonma-yon chegaralarning qo’shilishi sterik tuzilishligi bilan bartaraf etiladi.
Jarayon borishi mobaynida nanozanjir qalinlashib va diyametri 8 nmga
yaqinlashganda
sistema barqarorligini yoqotib fregmentlarga ajrala boshlaydi.
Bunga
AuCl
4 ioni kansentratsiyasi kamayib, sitrat-ioni o’z dominantligini
o’rnatadi.Ular
nanozarralarni qoplab manfiyligini oshiradi bu o’z navbatida kuchli
itaruvchanlik
effektini uyg’otib chiziqli struktura yemirilib orniga sferik shakilga
olib
keladi, lekin bu holat tamomila oxiriga yetishi uchun hona haroratida 10-15
daqiqa
ushlab turish kerak.5-rasmda oltindagi zolning tuzilish shemasi
ko’rsatilgan.

13 nm diyametrli oltin nanozarrasining mikrosirati ko’rsatilgan. O’ngda: oltin
nanozarrasining tashqi ilyustratsiyasi ko’rsatilgan. Har bitta nanozarra 500000 Au
atomlaridan tashkil topgan. Sitrat-onionlari nanozarra ustini qoplaydi.
2.6. Nanorobotlar davri
Ko‘pgina mutaxassislar mikrotexnologiya tarixi Richard Feynmanning 1959 yili
Amerika
fiziklar jamiyatida o‘qigan mashhur ma'ruzasidan so‘ng boshlangan
degan
fikrda. U mikrotexnologiya potentsialini boy bo‘yoqlarda tasavvur etadi.
Ma'ruzalarida
kompyuterlar, axborotni saqlash qurilmalari, elektron qismlar va
robotlar
mitti holatda tasvirlangan edi. Feynmanning mikroelektronika borasidagi
bashoratlari
tez (aniqrog‘i, 1960-70 yillarga keliboq) amalga oshdi. 1980 yilda esa
etakchi
universitetlar va davlat laboratoriyalarida nisbatan arzon usullarda mitti
mexanik
detallar yaratila boshlandi. Buning uchun mikroelektromexanik sistemalar
(MEMS)
texnologiyasi ishlab chiqildi.
Amalda
MEMSning ilk tijorat mahsuloti paydo bo‘lishi uchun 30 yil kerak bo‘ldi.
Keng
tarqalgan dastlabki MEMS texnologiyalari tezlanish sensorlari xorijda har
bir
avtomobilga o‘rnatilib, to‘qnashuvni payqash va havo yostiqchasini ishga
tushirish
uchun ishlatilardi. Hozir yiliga 50 millionta bu kabi sensorlar ishlab
chiqariladi.
Shuningdek, «Sandiya» firmasi ham samarali mikroskopik sensorlar
yarata
boshladi. 1990 yili yaratilgan avtonom robot MARV 1 kub dyuym hajmda
bo‘lgan,
2000 yilga kelib esa uning o‘lchamlarini 4 marta kichiklashtirishga imkon
tug‘ildi.
Bu kabi robotlar kompyuter orqali boshqariladi, bajaradigan vazi falari esa
turli-tuman.
Ishlab chiqa ruvchilarning fikricha, ularning asosiy vazifalari bomba va

minalarni, xavfli bio logik, kimyoviy va radioaktiv modda larni qidirib topish
hamda
zararsiz lantirishdan iborat. Shu bilan birga, robotlardan inson faoliyatini
nazorat
qilish, razvedkada va boshqa maqsadlarda foydalanish mumkin.
XULOSA.

Yuqoridagilardan kelib chiqib, bir qancha amaliy takliflar kiritishni maqsadga
muvofiq
deb topdik. M. Toirovning davlatimizda «Nanotexnologiya» jurnalini
tashkil
etish taklifini qo‘llab-quvvatlash lozim. Mamlakatimizning barcha tabiiy-
ilmiy
va oliy texnika o‘quv yurtlarida kvant mexanikasi o‘quv predmetini davlat
ta'lim
standartiga kiritish ham foydadan xoli emas. Shuningdek, oliy o‘quv
yurtlarining
fizika, fizika-texnika, kimyo fakultetlarida «nanotexnologiya» va
«nanomateriallar»
ta'limining keng yo‘lga qo‘yilishi, bu yo‘nalishlar bo‘yicha
bakalavr
va magistratura ta'lim bosqichlarining hamda nanotexnologiya
kafedralarining
tashkil etilishi yurtimizda mazkur sohaning istiqbolini belgilab
beruvchi
omillardan bo‘lishi, shubhasiz.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR.
1. X.K. Aripov, A.M. Abdullaev, N.B. Alimova. Elektronika. O‘quv
qo‘llanma–
Toshkent: TATU, 2008, 137 b.
2. Ugryumov
Ye.P. «Tsifrovaya sxemotexnika». Sankt-Peterburg «BXV -
Peterburg»
2007g.
3. Bezugmov
D. А ., Kalenko I.V. «Tsifroviye ustroyistva i mikroprotsessoriy».
Rostov
na Donu 2006 g.
4. Babich
N.P., Jukov I. А ., «Osnoviy tsifrovoy sxemotexniki» Moskva, DMK,
Press-2007
g.
5. Yu.F.
Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya
elektronika.
– M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.
6. Stepanenko
I.P. Osnovi mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. –
2-e
izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovix Znaniy, 2001.
7. Yu.L.
Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F.
Fedorova.
Elektronnie, kvantovie pribori i mikroelektronika: Uchebnoe
posobie
dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.
8. Dikman
L.A., Bogatirev V.A., SHegolev S.Yu., Xlebstov N.G. Zolotie
nanochastisti:
Sintez, svoystva i biomedistinskie primeneniya. M.: Nauka,
2008.
– 318 s.

9. Evdokimov Yu.M., Sichov V.V .//Uspexi ximii 2008 , 2, 194-206.
10. Krutyakov
Yu.A., Kudrinskiy A.V., Olenin A.Yu., Lisichkin G.V. // Uspexi
ximii 2008 , 77(3),
242-265.
11. Gubin
S.P., Yurkov G.Yu., Kataeva N.A. Nanochastisti blagorodnix
metallov
i materiali na ix osnove. M.: OOO «Azbuka-2000», 2006 , 156 s.
12. Xlebstov
N.G., Bogatirev V.A., Dikman L.A., SHegolev S.Yu. // Rossiyskie
nanotexnologii
2007 2, № 3-4, 69-86.
13. Murphy
C. J., Sau T. K., Gole A. M., Orendorff C. J., Gao J., Gou L.,
Hunyadi
S. E., Li T. // J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13857-13870.
14. Quan-Yu
Cai, Sun Hee Kim, Kyu Sil Choi, Soo Yeon Kim , Seung Jae Byun,
Kyoung
Woo Kim, Seong Hoon Park, Seon Kwan Juhng, Kwon-Ha Yoon //
Invest. Radiol.2007, 42 , 797–806.
15. Grieshaber
D., MacKenzie R., Voros J., Reimhult E. // Sensors 2008, 8 ,
1400-1458.
16. Daniel
Huang, Frank Liao, Steven Molesa, David Redinger, Vivek
Subramanianb
// Journal of The Electrochemical Society , 150 (7) G412-
G417
(2003).
17. Pong
B.K., Elim H. I., Jian-Xiong Chong, Wei Ji, Bernhardt L. Trout, Jim-
Yang
Lee // J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (17), 6281 -628.
18. Whetten
R. L., Khoury J. T, Alvarez M. M., Srihari Mu&y, Vezmar I.,
Wang
Z. L., Stephens P. W., Cleveland C. L., Luedtke W. D., LandmanU . //
Adv. Mater. 1996 , 8, 5,
428-433.
19. McFarland
A.D., Haynes C.L., Mirkin C. A., Van Duyne R.P., Godwin H.
A.
//J. Chem. Ed. 2004, 544A, 81, 4, www.JCE.DivCHED.org .
20. Liz-Marzan
L. M. // materialstoday 2004, February, 26-31.
21. Rayford
II C. E., Schatz G., Shuford K. //Nanoscape 27, Spring
2005,Volume
2, Issue 1.

Nanozarrachalar

Купить

Похожие документы
2001-yil sentabr voqealri va uning xalqaro munosabatlarga
1945-1990-yillarda Buyuk Britaniya
1918-1923 yillarda xalqaro munosabatlar, Versal Vashington siyetemasining tuzilishi
Ahmad al-farg‘oniy
Almashlab ekishni loyihalashtirish va joriy etish